公开(公告)号：FR3137787B1

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：FR2206882

申请日：2022-07-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： VILLARET ALEXANDRE ,  WEBER OLIVIER ,  ARNAUD FRANCK

Abstract: Le procédé de fabrication d’au moins un transistor haute-tension (HV_NMOS, HV_PMOS) dans et sur une région haute tension (HV_REG) d’un substrat du type silicium sur isolant (SOI) comportant un film semiconducteur (FLM) ayant une première épaisseur (E1), électriquement isolé d’un substrat porteur (BLK) par une couche diélectrique enterrée (BOX), comprend une croissance par épitaxie du film semiconducteur (FLM), jusqu’à une deuxième épaisseur (E2, E3) supérieure à la première épaisseur (E1), sélectivement dans la région haute-tension (HV_REG). Figure pour l’abrégé : Fig 11