公开(公告)号：FR3103628A1

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：FR1913092

申请日：2019-11-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： JULIEN FRANCK ,  NIEL STEPHAN ,  GAVE LEO

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/306

Abstract: Le présent texte concerne un procédé de fabrication d’un dispositif électronique, comprenant les étapes suivantes :(a) fourniture d’un substrat semi-conducteur (1) recouvert successivement d’une couche électriquement isolante (2) et d’une couche de nitrure de silicium (3),(b) implantation localisée d’espèces ioniques dans une première région (3A) de la couche de nitrure de silicium, avec une énergie adaptée pour implanter une partie desdites espèces dans une première région (2A) de la couche électriquement isolante située sous la première région de la couche de nitrure de silicium, au moins une seconde région (3B) de la couche de nitrure de silicium et une région (2B) de la couche électriquement isolante située sous la seconde région de la couche de nitrure de silicium étant protégées de ladite implantation, (c) gravure d’au moins une tranchée (4) dans une partie du substrat semi-conducteur (1) au travers de la couche de nitrure de silicium (3) et de la couche électriquement isolante (2), ladite tranchée (4) séparant la première région (2A) de la seconde région (2B) de la couche électriquement isolante, (d) gravure sélective de la couche électriquement isolante (2),la vitesse de gravure du matériau de la couche électriquement isolante dans la première région (2A) étant supérieure à la vitesse de gravure dans la deuxième région (2B). Figure pour l’abrégé : Fig 6