公开(公告)号：FR3133482B1

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：FR2202142

申请日：2022-03-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2

Inventor： LAPORTE FANNY ,  LOPEZ JEROME

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/14 ,  H01L23/485

Abstract: Substrat d’interconnexion et procédé de fabrication d’un tel substrat La présente description concerne un substrat d’interconnexion (300) comprenant :- un support thermomécanique (310) traversé par au moins un trou d’interconnexion électrique (311) ;- un premier réseau d’interconnexion (330a) sur une première face (310a) du support; et- un deuxième réseau d’interconnexion (330b) sur une deuxième face (310b) du support;chaque réseau d’interconnexion comportant :- au moins un niveau d’interconnexion, chaque niveau d’interconnexion comprenant au moins une piste métallique (331a, 333a, 331b, 333b) à partir de laquelle s’étend au moins un via métallique (332a, 334a, 332b, 334b), la au moins une piste métallique et le au moins un via métallique étant noyés dans une couche d’isolant de sorte que le au moins un via affleure à la surface de ladite couche d’isolant la plus éloignée du support ; et- au moins une piste métallique (335a, 335b) en protrusion sur la couche d’isolant du dernier niveau d’interconnexion ;les vias métalliques étant adaptés à relier entre eux deux niveaux adjacents et/ou le dernier niveau avec la au moins une piste métallique en protrusion. Figure pour l'abrégé : Fig. 3