公开(公告)号：FR2950208B1

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：FR0956407

申请日：2009-09-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2

Inventor： FOREL CHRISTOPHE ,  MAZET ROLAND

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/30 ,  H03F3/185

公开(公告)号：FR2966304B1

公开(公告)日：2013-06-28

申请号：FR1058475

申请日：2010-10-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2

Inventor： MAZET ROLAND ,  FOREL CHRISTOPHE

IPC: H03F1/30

公开(公告)号：FR2950208A1

公开(公告)日：2011-03-18

申请号：FR0956407

申请日：2009-09-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2

Inventor： FOREL CHRISTOPHE ,  MAZET ROLAND

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/30 ,  H03F3/185

Abstract: L'invention concerne un étage de sortie d'un amplificateur classe A intégré dans une technologie adaptée à une première tension (V ) et destiné à être alimenté sous une deuxième tension (V ) supérieure à la première, comportant : un ou plusieurs transistors (P41, DP42) d'un premier type de canal (P) entre une première borne (8) d'application de la deuxième tension et une borne (9) de sortie de l'étage ; des transistors (N25, N31, N32, N33) d'un deuxième type de canal (N) entre cette borne de sortie (9) et une deuxième borne (7) d'application de la deuxième tension, dans lequel : un premier transistor (N25) du deuxième type de canal a sa grille directement connectée à une borne (24) d'entrée de l'étage ; au moins un deuxième (N31) et un troisième (N32) transistors du deuxième type de canal sont en série entre la borne de sortie et ledit premier transistor, la grille du deuxième transistor étant connectée au point milieu d'un pont diviseur résistif (R1, R2) entre ladite borne de sortie et la grille du troisième transistor, et la grille du troisième transistor étant polarisée à un potentiel fixe (V ).

公开(公告)号：FR2966304A1

公开(公告)日：2012-04-20

申请号：FR1058475

申请日：2010-10-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2

Inventor： MAZET ROLAND ,  FOREL CHRISTOPHE

IPC: H03F1/30

Abstract: L'invention concerne un étage de sortie d'un amplificateur classe AB intégré dans une technologie adaptée à une première tension (V ) et destiné à être alimenté sous une seconde tension (V ) supérieure à la première, comportant : au moins un premier transistor (P25, P'25) d'un premier type de canal (P) entre une première borne (8) d'application de la seconde tension et une borne (9) de sortie de l'étage, dont la grille est reliée à une première borne d'entrée de l'étage ; au moins un premier transistor (N25) d'un deuxième type de canal (N) entre cette borne de sortie (9) et une deuxième borne (7) d'application de la seconde tension, dont la grille est reliée à une seconde borne d'entrée de l'étage ; et au moins un deuxième (N41) et un troisième (N42) transistors du deuxième type de canal en série entre la borne de sortie et le premier transistor du deuxième type de canal, la grille du deuxième transistor étant connectée au point milieu d'un pont diviseur résistif (R1N, R2N) entre ladite borne de sortie et la grille du troisième transistor du second type de canal, et la grille du troisième transistor étant polarisée à un potentiel fixe (VGN42