公开(公告)号：FR3113976A1

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：FR2009060

申请日：2020-09-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MURILLO LAURENT

IPC: G11C11/00 ,  G11C11/34 ,  G11C11/40 ,  G11C11/407 ,  G11C11/409 ,  G11C11/412 ,  G11C11/418 ,  G11C11/419

Abstract: Mémoire de type mémoire morte électriquement programmable et effaçable, et procédé d’écriture. La mémoire est formée dans et sur un substrat semi-conducteur (SUB) et comprend une pluralité de cellules-mémoires (CELL1 à CELL8) organisées dans un plan-mémoire(PM) arrangé matriciellement en rangées (RW0, RW1) et en colonnes (COL0, COL1, COL2, COL3) de cellules-mémoires (CELL1 à CELL8), chaque cellule-mémoire (CELL) comprenant un transistor d’état (TE) comprenant une région de source (TEs), une région de drain (TEd), une fenêtre d’injection (INJT) située du côté du drain (TEd), une grille de commande (CG) et une grille flottante (FG), et un transistor d’isolation (TI) ayant une région de source (TIs), une région de drain (TId) et une grille (CGI), la région de drain (TId) du transistor d'isolation (TI) et la région de source (TEs) du transistor d'état (TE) étant communes. Figure pour l’abrégé : Fig. 2