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公开(公告)号:FR2950463B1
公开(公告)日:2011-12-09
申请号:FR0904499
申请日:2009-09-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: ROUSSEAU HUBERT
IPC: G11C16/02 , G06F12/02 , G06K19/073
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2.
公开(公告)号:FR2950465A1
公开(公告)日:2011-03-25
申请号:FR0904501
申请日:2009-09-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: ROUSSEAU HUBERT
IPC: G11C16/02 , G06F12/02 , G06K19/073
Abstract: Procédé pour écrire et lire des données dans des cellules mémoire, comprenant, lors de la programmation d'une donnée dans un bloc d'un première zone mémoire, une étape consistant à programmer dans une seconde zone mémoire une structure de métadonnées d'information temporaire (TINF, DPI) comprenant un drapeau de début (SFG), un identifiant (TYPE) de la structure d'information temporaire, une information (DAD, DSIND) sur l'emplacement du bloc dans la première zone mémoire, et un drapeau de fin (FFG), et, après une mise sous tension de la première zone mémoire, rechercher une anomalie dans des structures d'information temporaire présentes dans la seconde zone mémoire.
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公开(公告)号:FR2950464A1
公开(公告)日:2011-03-25
申请号:FR0904500
申请日:2009-09-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: ROUSSEAU HUBERT
IPC: G11C16/02 , G06F12/02 , G06K19/073
Abstract: Procédé pour écrire et lire des données dans des cellules mémoire, comprenant les étapes consistant à : définir dans une première zone mémoire (A1) des pages de données effaçables et des blocs de données programmables et, en réponse à des commandes (WR) d'écriture de données (DT) : programmer des données dans des blocs effacés de la première zone mémoire, et programmer dans une seconde zone mémoire (A2) des structures de métadonnées (DSC) associées aux pages de données et comprenant, pour chaque page de données, un compteur d'usure contenant une valeur représentative du nombre de fois que la page a été effacée.
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4.
公开(公告)号:FR2950465B1
公开(公告)日:2012-08-17
申请号:FR0904501
申请日:2009-09-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: ROUSSEAU HUBERT
IPC: G11C16/02 , G06F12/02 , G06K19/073
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公开(公告)号:FR2950463A1
公开(公告)日:2011-03-25
申请号:FR0904499
申请日:2009-09-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: ROUSSEAU HUBERT
IPC: G11C16/02 , G06F12/02 , G06K19/073
Abstract: Procédé pour écrire des données dans des cellules mémoire, comprenant les étapes consistant à : programmer dans une première zone mémoire (A1) des données ayant chacune une adresse logique (LPA), programmer dans une seconde zone mémoire (A2) des structures de métadonnées associées aux données, et configurer, dans une zone mémoire volatile (VM) une table de correspondance (LUT) comprenant, pour chaque adresse logique d'une donnée enregistrée dans la première zone mémoire (A1), des adresses (DAD) de structures de métadonnées comprenant cette adresse logique, lire la table de correspondance puis lire dans la seconde zone mémoire (A2) des structures de métadonnées que la table de correspondance désigne pour retrouver l'adresse (DPPA) dans la première zone mémoire d'un bloc contenant une donnée valide ayant cette adresse logique.
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6.
公开(公告)号:FR2950462A1
公开(公告)日:2011-03-25
申请号:FR0904498
申请日:2009-09-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: ROUSSEAU HUBERT
IPC: G11C16/02 , G06F12/02 , G06K19/073
Abstract: Procédé pour écrire et lire des données dans des cellules mémoire, comprenant les étapes suivantes : définir une mémoire virtuelle, définir des commandes d'écriture et de lecture de données (DT) dans la mémoire virtuelle, prévoir une première zone mémoire physique non volatile (A1), prévoir une seconde zone mémoire physique non volatile (A2) et, en réponse à une commande d'écriture d'une donnée initiale, rechercher un premier emplacement effacé dans la première zone mémoire, programmer la donnée initiale (DT1a) dans le premier emplacement (PB1(DPP0)), et programmer dans les métadonnées (DSC0) une information (DS(PB1)) permettant de retrouver le premier emplacement et une information (LPA, DS(PB1)) formant un lien entre le premier emplacement et l'emplacement de la donnée dans la mémoire virtuelle.
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公开(公告)号:FR2950464B1
公开(公告)日:2012-03-16
申请号:FR0904500
申请日:2009-09-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: ROUSSEAU HUBERT
IPC: G11C16/02 , G06F12/02 , G06K19/073
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