公开(公告)号：EP2722727A1

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：EP13181119.2

申请日：2013-08-21

Applicant: ST Microelectronics (Rousset) SAS

Inventor： Bienvenu, Philippe

IPC: G05F3/26 ,  H02M3/07 ,  G05F1/10

CPC classification number: G05F3/262 ,  G05F1/10 ,  G05F3/18 ,  H02M3/07

Abstract: L'invention concerne un circuit comportant : une source de courant (N4) destinée à être connectée en série avec une charge 1 entre deux bornes (21, 22) d'application d'une première tension continue (Vbat) ; un élément (3) limitant la tension aux bornes de la charge ; et un circuit d'asservissement de la valeur du courant dans la source de courant, sur le courant circulant dans ledit élément.

Abstract translation: 电路具有与施加第一直流（DC）电压（Vbat）的两个端子（21,22）之间的负载（1）连接的电流源（N4）。 元件（3）被耦合以限制负载两端的电压。 控制电路利用流向元件的电流来控制电流源中的电流值。 该元件包括连接到负载和电流源之间的连接点的齐纳二极管。 第一金属氧化物半导体（MOS）晶体管（P1）在第二MOS晶体管（P2）上组装为二极管并作为电流镜组装。

公开(公告)号：EP2722727B1

公开(公告)日：2018-10-03

申请号：EP13181119.2

申请日：2013-08-21

Applicant: ST Microelectronics (Rousset) SAS

Inventor： Bienvenu, Philippe

IPC: G05F3/18 ,  H02M3/07 ,  G05F1/10 ,  G05F3/26

CPC classification number: G05F3/262 ,  G05F1/10 ,  G05F3/18 ,  H02M3/07