公开(公告)号：EP2693440A1

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：EP13169505.8

申请日：2013-05-28

Applicant: ST Microelectronics (Rousset) SAS

Inventor： Marinet, Fabrice ,  Fornara, Pascal

IPC: G11C27/02 ,  G04F10/10 ,  H01L29/66 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L27/00 ,  G04F10/10 ,  G11C27/024 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60

Abstract: L'invention concerne une puce de circuit intégré comportant au moins une cellule mémoire non-volatile, un transistor MOS et un circuit électrique de rétention de charges pour une mesure temporelle comportant un élément capacitif de stockage de charges et, relié à cet élément, un élément (C3') d'écoulement de charges électriques comportant, sur un support isolant (23), un empilement d'une première électrode (18'), d'une couche diélectrique (ONO, GO1) dont au moins une portion (29) est adaptée à laisser circuler des charges par effet tunnel, et d'une seconde électrode (17), dans lequel au moins une des électrodes (18') est en silicium polycristallin non dopé. La cellule mémoire non-volatile, le transistor MOS et l'élément d'écoulement de charges partagent deux à deux des niveaux de diélectriques et de silicium poly crystallin.

Abstract translation: 的电荷流元件上具有能够通过隧道效应使电荷流的一部分绝缘支撑的电介质层的包含电极（11）的叠层，和另一电极（12），其中，所述电极是由未掺杂的多晶硅中的 ， 氧化物 - 氮化物 - 氧化物堆叠，其中一个部分是由氧化硅构成。 一种电容元件初始化连接到浮动节点（F）共用的存储元件（C1）和一个流量元件（C3）。

公开(公告)号：EP2693440B1

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：EP13169505.8

申请日：2013-05-28

Applicant: ST Microelectronics (Rousset) SAS

Inventor： Marinet, Fabrice ,  Fornara, Pascal

IPC: G11C27/02 ,  G04F10/10 ,  H01L29/66 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L27/00 ,  G04F10/10 ,  G11C27/024 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60