公开(公告)号：WO2003056631A1

公开(公告)日：2003-07-10

申请号：PCT/FR2002/004581

申请日：2002-12-27

Applicant: STMICROELECTRONICS, S.A. ,  SIMONNET, Jean-Michel

Inventor： SIMONNET, Jean-Michel

IPC: H01L29/747

CPC classification number: H01L29/747 ,  H01L27/0817 ,  H01L29/7404

Abstract: L'invention concerne un composant de type triac à commande en tension, formé dans un substrat (1) de type N, comprenant un premier et un deuxième thyristor vertical (Thl, Th2), une première électrode (A2) du premier thyristor, du côté de la face avant du composant, correspondant à une première région (6) de type N formée dans un premier caisson (5) de type P, le premier caisson correspondant à une première électrode (A2) du deuxième thyristor, le premier caisson contenant une deuxième région (8) de type N ; et une structure pilote compre­nant, au-dessus d'un prolongement d'une région (4) de deuxième électrode du deuxième thyristor, un deuxième caisson (11) de type P contenant des troisième et quatrième régions de type N, la troisième région (12) et une portion du deuxième caisson (11) étant reliées à une borne de gâchette (G), la quatrième région (13) étant reliée à la deuxième région (8).

Abstract translation: 本发明涉及形成在包括第一和第二垂直晶闸管（Th1，Th2），第一晶闸管的第一电极（A2），第一晶闸管的前侧上的N型衬底（1）中的电压控制三端双向可控硅开关元件 所述部件对应于形成在第一P型盒（5）中的第一N型区域（6），所述第一箱体对应于所述第二晶闸管的第一电极（A2），所述第一箱体包含第二N-型区域， 类型区域（8）; 以及引导结构，包括在所述第二晶闸管的第二电极区域（4）的延伸部上方，包含第三和第四N型区域的第二P型盒（11），所述第三区域（12）和 第二盒（11）连接到栅极端子（G），第四区域（13）连接到第二区域（8）。

公开(公告)号：EP1459388A1

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：EP02799855.8

申请日：2002-12-27

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： SIMONNET, Jean-Michel

IPC: H01L29/747

CPC classification number: H01L29/747 ,  H01L27/0817 ,  H01L29/7404

Abstract: The invention concerns a voltage-controlled triac-type component, formed in a N-type substrate (1) comprising first and second vertical thyristors (Th1, Th2), a first electrode (A2) of the first thyristor, on the front side of the component, corresponding to a first N-type region (6) formed in a first P-type box (5), the first box corresponding to a first electrode (A2) of the second thyristor, the first box containing a second N-type region (8); and a pilot structure comprising, above an extension of a second electrode region (4) of the second thyristor, a second P-type box (11) containing third and fourth N-type regions, the third region (12) and a portion of the second box (11) being connected to a gate terminal (G), the fourth region (13) being connected to the second region (8).