公开(公告)号：FR3033937A1

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：FR1552289

申请日：2015-03-19

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： SIMOLA ROBERTO ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L29/866

Abstract: L'invention concerne une diode Zener comprenant : une région de cathode (CD1) ayant un premier type de conductivité, formée en surface dans un substrat semi-conducteur (SUB) ayant un second type de conductivité, une région d'anode (AD1) ayant le second type de conductivité, formée sous la région de cathode, les régions de cathode et d'anode étant isolées du reste du substrat par des tranchées isolantes (STI1), des premières régions conductrices (CDC, EDC, ED1) configurées, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, pour générer un premier champ électrique perpendiculaire à une interface entre les régions de cathode et d'anode, et des secondes régions conductrices (GT1, GTC) configurées lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, pour générer un second champ électrique parallèle à une interface entre les régions de cathode et d'anode.

公开(公告)号：FR3033938A1

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：FR1552290

申请日：2015-03-19

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： SIMOLA ROBERTO ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L29/866

Abstract: L'invention concerne une diode Zener comprenant : une jonction de diode Zener formée dans un substrat semi-conducteur (SUB) parallèlement à la surface du substrat entre une région de cathode (CD1) et une région d'anode (AD1), des régions conductrices (BDC, EDC, ED1, NW) configurées pour générer un premier champ électrique perpendiculaire à la jonction de diode Zener, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, et des régions conductrices (GT1, GTC) configurées pour générer un second champ électrique dans le plan de la jonction de diode Zener, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates.