公开(公告)号：FR3139940B1

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：FR2209435

申请日：2022-09-19

Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： SAIDI BILEL

IPC: H01L21/20

Abstract: Procédé de remplissage d’une tranchée formée dans un substrat semiconducteur La présente description concerne un procédé de remplissage d’une tranchée formée dans un substrat semiconducteur (103), comprenant les étapes successives suivantes : a)déposer une première couche (109) de silicium dans des conditions de dépôt amorphe sur les parois latérales et au fond de la tranchée ; b) déposer une deuxième couche (111) de silicium dans des conditions de dépôt polycristallin sur et en contact avec la première couche (109) ; etc) déposer une troisième couche (113) de silicium dopé dans des conditions de dépôt amorphe sur et en contact avec la deuxième couche (111) de manière à combler entièrement la tranchée, dans lequel, à l’issue de l’étape b), la première couche (109) est en silicium polycristallin présentant une taille de grain différente de celle de la deuxième couche (111). Figure pour l'abrégé : Fig. 1F