公开(公告)号：WO2021165212A1

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：PCT/EP2021/053677

申请日：2021-02-15

Applicant: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.

Inventor： GUEGNAUD, Hervé ,  VENEC, Stéphanie ,  BLAMON, Guillaume

IPC: H03F1/52 ,  H03F1/34 ,  H03F3/19 ,  H03G3/30 ,  H03F3/24

Abstract: Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un amplificateur de puissance comportant : • une succession d'au moins deux étages amplificateurs (DS, PS) comportant un premier étage amplificateur (DS) configuré pour recevoir en entrée un signal radiofréquence et un dernier étage amplificateur (PS) configuré pour délivrer en sortie un signal radiofréquence amplifié, • un circuit de sûreté comprenant : • des moyens de contrôle (CM) configurés pour comparer une tension du signal radiofréquence amplifié (RFAMP) à une tension seuil (VTH), • des moyens de réduction (GRM) de gain configurés pour réduire une tension de polarisation d'un étage amplificateur en amont (DS) du dernier étage (PS) lorsque la tension du signal radiofréquence amplifié (RFAMP) est supérieure à la tension seuil (VTH).

公开(公告)号：EP4107856A1

公开(公告)日：2022-12-28

申请号：EP21704569.9

申请日：2021-02-15

Applicant: STMicroelectronics International N.V.

Inventor： GUEGNAUD, Hervé ,  VENEC, Stéphanie ,  BLAMON, Guillaume

IPC: H03F1/52 ,  H03F1/34 ,  H03F3/19 ,  H03G3/30 ,  H03F3/24