公开(公告)号：WO2021165213A1

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：PCT/EP2021/053678

申请日：2021-02-15

Applicant: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.

Inventor： LEMOINE, Renaud ,  OUYAHIA, Samia ,  WILHELM, Eric ,  BOYAVALLE, Christophe

IPC: H03F1/02

Abstract: Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un amplificateur radiofréquence comportant: - au moins deux étages amplificateurs (DS, PS), - un dispositif d'adaptation d'impédance (DAI) entre deux étages amplificateurs (DS, PS) de l'amplificateur radiofréquence, le dispositif d'adaptation comprenant deux lignes (L1, L2) couplées par induction électromagnétique, une première ligne (L1) étant reliée à une sortie du premier étage amplificateur (DS) et une deuxième ligne (L2) étant reliée à une entrée du deuxième étage amplificateur (PS).

公开(公告)号：EP4107854A1

公开(公告)日：2022-12-28

申请号：EP21704570.7

申请日：2021-02-15

Applicant: STMicroelectronics International N.V.

Inventor： LEMOINE, Renaud ,  OUYAHIA, Samia ,  WILHELM, Eric ,  BOYAVALLE, Christophe

IPC: H03F1/02