公开(公告)号：EP1361583A1

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：EP03007639.2

申请日：2003-04-03

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Duval, Benjamin ,  Marinet, Fabrice

IPC: G11C17/18

CPC classification number: G11C17/18

Abstract: Procédé de programmation d'une rangée de cellules mémoire antifusible comprenant une étape de claquage d'au moins N éléments antifusible (AF1-AF N ) présents dans les cellules mémoire, le claquage d'un élément antifusible comprenant l'application d'une tension de claquage (Vhv) sur l'anode de l'élément antifusible, dans lequel les éléments antifusible sont claqués séquentiellement par groupes de P éléments antifusible avec P inférieur à N et au moins égal à 1, les éléments antifusible d'un même groupe recevant la tension de claquage simultanément, le claquage d'un groupe d'éléments antifusible suivant intervenant immédiatement après le claquage d'un groupe d'éléments antifusible précédent.

Abstract translation: 串联连接的反熔丝存储单元（SEL1-SELN）行的方法包括通过击穿而导致存储单元中包含的至少N个反熔丝元件（AF1-AFN）的击穿的步骤。 通过在抗反熔丝元件的阳极上施加击穿电压（Vhv）来进行反熔丝元件的击穿。 反熔丝元件按P元件分组依次分解，其中P小于N且至少等于1.同组的反熔丝元件同时接收击穿电压，并且下一组反熔丝元件的击穿 遵循前一组反熔丝元件的击穿。 当P = 1时，反熔丝元件逐个分解。选择P的值，使得N个反熔丝元件的击穿的总时间（TP）是最佳的。 在存储单元行的编程期间，数字P不是常数。 该方法包括检测反熔丝元件的击穿，该反熔丝元件的表现在反熔丝元件的阴极上的电压高于确定的阈值（Vref）。 阴极电压和参考电压被输入到比较器（CMP），该比较器（CMP）向包括N个级联（C1-CN）的N个单元的移位寄存器（SREG）的控制输入端递送信号（SHIFT），用于成对控制开关： SWA1和SWB1，...，SWAN和SWBN。 集成电路形式的反熔丝存储器实现了所要求的方法，并且包括用于将击穿电压顺序施加到反熔丝元件组的装置。