公开(公告)号：EP2604729A1

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：EP12195884.7

申请日：2012-12-06

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Frisina, Ferruccio ,  Abbondanza, Giuseppe

IPC: C30B33/00 ,  C30B33/06

CPC classification number: H01L21/7806 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4583 ,  C30B9/06 ,  C30B19/04 ,  C30B19/08 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609

Abstract: Method for producing a wafer of a first semiconductor material (515). Said first semiconductor material has a first melting temperature. The method comprises providing a crystalline substrate (102) of a second semiconductor material having a second melting temperature lower than the first melting temperature, and exposing the crystalline substrate to a flow of first material precursors for forming a first layer (510) of the first material on the substrate. The method further comprising bringing the crystalline substrate to a first process temperature higher than the second melting temperature, and at the same time lower than the first melting temperature, in such a way the second material melts, separating the second melted material from the first layer, and exposing the first layer to the flow of the first material precursor for forming a second layer (530) of the first material on the first layer.

Abstract translation: 第一半导体材料（515）的晶片的制造方法。 所述第一半导体材料具有第一熔融温度。 该方法包括提供具有低于第一熔融温度的第二熔化温度的第二半导体材料的结晶衬底（102），并将该晶体衬底暴露于第一材料前体流中，以形成第一熔化温度的第一层（510） 材料在基板上。 该方法还包括使晶体衬底处于高于第二熔化温度的第一工艺温度，并且同时低于第一熔化温度，以这种方式，第二材料熔化，将第二熔化材料与第一层分离 并且将第一层暴露于第一材料前体的流动，以形成第一层上的第一材料的第二层（530）。