公开(公告)号：EP1753022A1

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：EP05425596.3

申请日：2005-08-12

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Miccichè, Monica ,  Grimaldi, Antonio Guiseppe ,  Arcuri, Luigi

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: Process for manufacturing a multi-drain power electronic device (30) integrated on a semiconductor substrate (100) of a first type of conductivity, characterised in that it comprises the following steps:
- forming a first semiconductor layer (21) of the first type of conductivity and of a first resistivity (ρ 1 ) value and a first thickness (X1) on the semiconductor substrate (100),
- forming at least a second semiconductor layer (23) of a second type of conductivity and of a second resistivity (ρ 2 ) value and a second thickness (X2) on the first semiconductor layer (21),
- forming, in this at least a second semiconductor layer (23), a first plurality of implanted regions (D3) of the first type of conductivity by means of a first selective implant step with a first implant dose (Φ 3 ),
- forming implanted body regions (40) of the second type of conductivity in portions of said second semiconductor layer (23) free from said first plurality of implanted regions (D3),
- carrying out a thermal diffusion process so that the first plurality of implanted regions (D3) form a first plurality of electrically continuous implanted column regions (D) of the first type of conductivity along this at least a second semiconductor layer (23) and in electric contact with the first semiconductor layer (21), the first plurality of column implanted regions (D) delimiting a second plurality of column regions (50) of the second type of conductivity, said implanted body regions (40) resulting to be formed in said second plurality of column regions (50).

Abstract translation: 用于制造集成在第一导电类型的半导体衬底（100）上的多漏功率电子器件（30）的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： - 形成第一类型的第一半导体层（21） （100）上的第一电阻率（ρ1）值和第一厚度（X1）的电导率和电导率， - 形成至少第二导电类型和第二电阻率（ρ2）的第二半导体层（23） ）值和在所述第一半导体层（21）上的第二厚度（X2）， - 在该至少第二半导体层（23）中通过装置形成具有第一导电类型的第一多个注入区域（D3） （Φ3）的第一选择性注入步骤，在不具有所述第一多个注入区（D3）的所述第二半导体层（23）的部分中形成具有第二导电类型的注入体区（40） ， - 执行一个therm 以使得所述第一多个注入区域（D3）沿着该至少第二半导体层（23）形成具有第一导电类型的第一多个电连续注入列区域（D），并且与所述第一多个注入区域 第一半导体层（21），所述第一多个列注入区域（D）限定所述第二导电类型的第二多个列区域（50），所述注入体区域（40）导致形成在所述第二多个 列区域（50）。