公开(公告)号：EP1408549A1

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：EP02425604.2

申请日：2002-10-08

Applicant: STMicroelectronics S.r.l. ,  OVONYX Inc.

Inventor： Pellizzer, Fabio ,  Casagrande, Guilio ,  Gastaldi, Roberto ,  Vendrame, Loris ,  Benvenuti, Augusto ,  Lowrey, Tyler, c/o Ovonyx Inc.

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/68 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L29/685 ,  H01L27/101 ,  H01L27/24

Abstract: A process for manufacturing an array of cells, including: implanting, in a body (10) of semiconductor material of a first conductivity type, a common conduction region (11) of the first conductivity type; forming, in the body, above the common conduction region, a plurality of active area regions (12) of a second conductivity type and a first doping level; forming, on top of the body, an insulating layer (21) having first and second openings (27a, 27b); implanting first portions of the active area regions through the first openings (27a) with a doping agent of the first conductivity type, thereby forming, in the active area regions, second conduction regions (14) of the first conductivity type; implanting second portions of the active area regions through the second openings (27b) with a doping agent of the second conductivity type, thereby forming control contact regions (15) of the second conductivity type and a second doping level, higher than the first doping level; forming, on top of the body, a plurality of storage components (3), each storage component having a terminal connected to a respective second conduction region (14).

Abstract translation: 单元的阵列是通过注入第一导电类型，以通过绝缘层的第一开口有源区区域的第一部分的掺杂剂，以形成第二导电区制成; 注入第二导电类型到穿过绝缘层以形成控制接触区域的第二开口的有源区域的区域的第二部分中的掺杂剂; 和在所述主体的顶部上形成存储元件。 单元阵列的制造包括：提供第一导电类型的半导体材料的本体（10）; 植入在身体中，第一导电类型的公共导电区（11）; 形成在所述主体中，公共导电区域上方，有源区的区域的第二导电类型和第一掺杂水平的（12）; 形成，在所述主体的顶部，绝缘层上具有第一和第二开口（27A，27B）; 通过用第一导电类型的掺杂剂的第一开口注入所述有源区区域的第一部分，从而形成在所述有源区区域中的第一导电类型的第二传导区域; 通过注入与所述第二导电类型的掺杂剂的第二孔中的活性区域的区域的第二部分，所述第二导电类型和第二掺杂水平比所述第一掺杂等级高的形成，从而控制接触区域（15）; 并形成存储元件（24）在所述主体的顶部上。 每个控制接触区域形成，与所述第二传导区域和公共传导区，选择双极型晶体管（20）连接在一起。 每个存储组件具有连接到第二respectivement传导区的端子。 它定义，与双极晶体管，所述单元阵列的细胞一起。