公开(公告)号：WO1987002626A1

公开(公告)日：1987-05-07

申请号：PCT/US1986002254

申请日：1986-10-24

Applicant: TANDEM COMPUTERS INCORPORATED

Inventor： TANDEM COMPUTERS INCORPORATED ,  MATHUR, Vishnu ,  GARCIA, Socorro

IPC: B44C01/22

CPC classification number: G03F7/094 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

Abstract: A method for forming multiple metallization layer (10, 24) on a semiconductor wafer (12) comprises applying insulating polyimide layers (16) between adjacent metallization layers. Vertical interconnect holes (22) are formed through the polyimide insulating layers (16) using a positive photoresist mask (18). The vertical interconnect holes (22) are etched using a fluorocarbon- or fluorosilicon-oxygen plasma under power and temperature conditions which provide for selectively etching the polyimide (16) relative to the photoresist (18). By initially forming the plasma etch at high power conditions which reduce the selectivity for the polyimide (16), the upper portion of the vertical interconnect hole walls may be flared to reduce problems with step metallization. The remaining portion of the plasma etch, however, is performed under conditions which are more highly selective for the polyimide which provides for better dimensional control and eliminates formation of a contaminating layer at the bottom of the vertical interconnect hole (20).

公开(公告)号：EP0244462A1

公开(公告)日：1987-11-11

申请号：EP86906669.0

申请日：1986-10-24

Applicant: TANDEM COMPUTERS INCORPORATED

Inventor： MATHUR, Vishnu ,  GARCIA, Socorro

IPC: H01L21 ,  G03F7 ,  H01L23

CPC classification number: G03F7/094 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

Abstract: Le procédé ci-décrit permettant de former une couche de métallisation multiple (10, 24) sur une tranche à semi-conducteurs (12) consiste à appliquer des couches isolantes de polyimide (16) entre des couches adjacentes de métallisation. Des trous verticaux d'interconnexion sont formés au travers des couches isolantes de polyimide (16) en utilisant un masque de photoréserve positive (18). Les trous verticaux d'interconnexion (22) sont attaqués en utilisant un plasma de fluorocarbure-oxygène ou fluorosilicium-oxygène dans des conditions de puissance électrique et de température telles que l'on obtient l'attaque sélective du polyimide (16) par rapport à la photoréserve (18). En formant initialement l'attaque au plasma à une puissance électrique élevée qui réduit la sélectivité du polyimide (16), la partie supérieure des parois des trous verticaux d'interconnexion peut être évasée pour réduire les problèmes de métallisation par étape. La partie restante de l'attaque au plasma s'effectue cependant dans des conditions qui sont plus sélectives pour le polyimide, ce qui a pour résultat une meilleure régulation dimensionnelle et une élimination d'une couche contaminante au fond du trou vertical d'interconnexion (20).