压电陶瓷的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101260000A

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200810082688.7

    申请日:2008-03-06

    Abstract: 本发明涉及一种压电陶瓷(压电体层2)的制造方法,它是对包含TiO2原料、ZrO2原料以及PbO原料为主要成分的压电材料进行烧成而制造压电陶瓷的压电陶瓷的制造方法,其特征在于,混合到压电材料中的P2O5的含量范围为40ppm以上且350ppm以下,该P2O5以被包含于TiO2原料以及ZrO2原料中的形式混合到压电材料中。发明者们发现,当用于压电陶瓷的压电材料中含有P,该P以P2O5的形态通过TiO2原料以及ZrO2原料而混入上述范围的量时,可以显著地提高压电应变特性。

    电介质瓷器组合物、电子部件和它们的制造方法

    公开(公告)号:CN1790568A

    公开(公告)日:2006-06-21

    申请号:CN200410095402.0

    申请日:2004-12-17

    Abstract: 一种电介质瓷器组合物的制造方法,制造具有用结构式[(CaxSr1-x)O]m[(TiyZr1-y-zHfz)O2]表示的电介质氧化物、氧化锰、氧化铝、烧结助剂的电介质瓷器组合物,上述结构式中的表示组成摩尔比的符号x、y、z、m为0.5≤x≤1.0、0.01≤y≤0.10、0<z≤0.20、0.90≤m≤1.04,其特征在于,使用烧结助剂制造电介质瓷器组合物,所述烧结助剂具有:以SiO2作为主要成分,还包含MO(其中,M是Ba、Ca、Sr和Mg的至少一种),第一玻璃组合物;其构成包括B2O3、Al2O3、ZnO和SiO2,具有1.5μm以下的平均粒径的第二玻璃组合物。根据该发明,能够提供一种即使在低温中煅烧也不损伤各种电学特性而能得到致密的电介质瓷器组合物的电介质瓷器组合物的制造方法。

    压电陶瓷的制造方法
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101260000B

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:CN200810082688.7

    申请日:2008-03-06

    Abstract: 本发明涉及一种压电陶瓷(压电体层2)的制造方法,它是对包含TiO2原料、ZrO2原料以及PbO原料为主要成分的压电材料进行烧成而制造压电陶瓷的压电陶瓷的制造方法,其特征在于,混合到压电材料中的P2O5的含量范围为40ppm以上且350ppm以下,该P2O5以被包含于TiO2原料以及ZrO2原料中的形式混合到压电材料中。发明者们发现,当用于压电陶瓷的压电材料中含有P,该P以P2O5的形态通过TiO2原料以及ZrO2原料而混入上述范围的量时,可以显著地提高压电应变特性。

    电介质陶瓷组合物、电子部件和它们的制造方法

    公开(公告)号:CN1790568B

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200410095402.0

    申请日:2004-12-17

    Abstract: 一种电介质瓷器组合物的制造方法,制造具有用结构式[(CaxSr1-x)O]m[(TiyZr1-y-zHfz)O2]表示的电介质氧化物、氧化锰、氧化铝、烧结助剂的电介质瓷器组合物,上述结构式中的表示组成摩尔比的符号x、y、z、m为0.5≤x≤1.0、0.01≤y≤0.10、0<z≤0.20、0.90≤m≤1.04,其特征在于,使用烧结助剂制造电介质瓷器组合物,所述烧结助剂具有:以SiO2作为主要成分,还包含MO(其中,M是Ba、Ca、Sr和Mg的至少一种),第一玻璃组合物;其构成包括B2O3、Al2O3、ZnO和SiO2,具有1.5μm以下的平均粒径的第二玻璃组合物。根据该发明,能够提供一种即使在低温中煅烧也不损伤各种电学特性而能得到致密的电介质瓷器组合物的电介质瓷器组合物的制造方法。

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