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公开(公告)号:CN101083166B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN200610064455.5
申请日:2006-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/42 , H01F1/0577 , H01F41/026 , Y10T428/32 , Y10T428/325
Abstract: 本发明提供一种能够提高耐腐蚀性的稀土类磁铁。保护膜(20)是从邻近磁铁基体(10)的一侧开始依次含有具有结晶组织α(例如多晶组织)的保护层(20A)、具有结晶组织β(例如柱状结晶组织)的保护层(20B)、具有结晶组织α的保护层(20C)的三层膜。由于相邻的保护层(20A)、(20B)之间具有不同的结晶组织,同时同样相邻的保护层(20B)、(20C)之间具有不同的结晶组织,所以提高了保护膜(20)中的各层之间的致密性。由此抑制了针孔的产生,所以能够抑制保护膜(20)的腐蚀。
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公开(公告)号:CN100334662C
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN03801313.4
申请日:2003-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C22C38/005 , B22F2998/10 , C22C33/0228 , C22C33/0278 , C22C38/06 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/0557 , H01F1/0577 , H01F41/0253 , B22F9/023 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/10
Abstract: 一种R-T-B系稀土类永久磁铁的制造方法,该R-T-B系稀土类永久磁铁是由含有由R2T14B相(R是稀土类元素的1种或2种以上(但稀土类元素是含有Y的概念)、T是以Fe或以Fe和Co为必需的1种或2种以上的过渡金属元素)构成的主相、以及比主相含有更多R的晶界相的烧结体构成、其中在R2T14B相内存在富集Zr的生成物,该制造方法包含下列工序:以R2T14B相为主体的含有Zr的R-T-B合金、以及比所述R-T-B合金含有更多R的以R和T为主体的R-T合金的制作工序、得到R-T-B合金组成的粉末与所述R-T合金组成的粉末的混合物的工序、制作由混合物构成的预定形状的烧结体的工序、以及烧结成形体的工序,在烧结工序使生成物在R2T14B相内生成。
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公开(公告)号:CN1572006A
公开(公告)日:2005-01-26
申请号:CN03801314.2
申请日:2003-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C22C38/005 , B22F2998/10 , C22C33/0228 , C22C33/0278 , C22C38/06 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/0557 , H01F1/0577 , H01F41/0253 , B22F9/023 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/10
Abstract: 一种R-T-B系稀土类永久磁铁由含有由R2T14B相(R是稀土类元素的1种或2种以上(其中稀土类元素是含有Y的概念)、T是以Fe或以Fe和Co为必需的1种或2种以上的过渡金属元素)组成的主相、以及比主相含有更多R的晶界相的烧结体构成,使其在R2T14B相内存在富集Zr的生成物。富集Zr的生成物具有片状或针状的形态。而且,根据存在该生成物的R-T-B系稀土类永久磁铁能够将磁特性的降低控制在最小限度且抑制晶粒的长大、并能够得到较宽的烧结温度幅。
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公开(公告)号:CN1295713C
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN03801314.2
申请日:2003-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C22C38/005 , B22F2998/10 , C22C33/0228 , C22C33/0278 , C22C38/06 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/0557 , H01F1/0577 , H01F41/0253 , B22F9/023 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/10
Abstract: 一种R-T-B系稀土类永久磁铁由含有由R2T14B相(R是稀土类元素的1种或2种以上(其中稀土类元素是含有Y的概念)、T是以Fe或以Fe和Co为必需的1种或2种以上的过渡金属元素)组成的主相、以及比主相含有更多R的晶界相的烧结体构成,使其在R2T14B相内存在富集Zr的生成物。富集Zr的生成物具有片状或针状的形态。而且,根据存在该生成物的R-T-B系稀土类永久磁铁能够将磁特性的降低控制在最小限度且抑制晶粒的长大、并能够得到较宽的烧结温度幅。
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公开(公告)号:CN1898756B
公开(公告)日:2010-05-26
申请号:CN200580000402.0
申请日:2005-07-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F7/0221 , B32B15/011 , H01F41/026 , Y10T428/12937 , Y10T428/12944 , Y10T428/32
Abstract: 提供具有优异的耐腐蚀性的稀土类磁铁。具有含有稀土类元素的磁铁基体(10)、和在磁铁基体(10)上形成的保护膜(20)。保护膜(20)从磁铁基体(10)侧顺序地积层第1保护膜(21)、第2保护膜(22)和第3保护膜(23)。这些保护膜为多晶状,例如采用金属的镀膜构成。它们的平均晶粒粒径是第1保护膜(21)及第3保护膜(23)的比第2保护膜(22)的小。通过将第1保护膜(21)微晶化,能够提高保护膜(20)与磁铁基体(10)的界面的致密性,能够减少针孔数。
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公开(公告)号:CN101083166A
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200610064455.5
申请日:2006-09-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F7/02
CPC classification number: C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/42 , H01F1/0577 , H01F41/026 , Y10T428/32 , Y10T428/325
Abstract: 本发明提供一种能够提高耐腐蚀性的稀土类磁铁。保护膜(20)是从邻近磁铁基体(10)的一侧开始依次含有具有结晶组织α(例如多晶组织)的保护层(20A)、具有结晶组织β(例如柱状结晶组织)的保护层(20B)、具有结晶组织α的保护层(20C)的三层膜。由于相邻的保护层(20A)、(20B)之间具有不同的结晶组织,同时同样相邻的保护层(20B)、(20C)之间具有不同的结晶组织,所以提高了保护膜(20)中的各层之间的致密性。由此抑制了针孔的产生,所以能够抑制保护膜(20)的腐蚀。
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公开(公告)号:CN1898756A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200580000402.0
申请日:2005-07-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F7/0221 , B32B15/011 , H01F41/026 , Y10T428/12937 , Y10T428/12944 , Y10T428/32
Abstract: 提供具有优异的耐腐蚀性的稀土类磁铁。具有含有稀土类元素的磁铁基体(10)、和在磁铁基体(10)上形成的保护膜(20)。保护膜(20)从磁铁基体(10)侧顺序地积层第1保护膜(21)、第2保护膜(22)和第3保护膜(23)。这些保护膜为多晶状,例如采用金属的镀膜构成。它们的平均晶粒粒径是第1保护膜(21)及第3保护膜(23)的比第2保护膜(22)的小。通过将第1保护膜(21)微晶化,能够提高保护膜(20)与磁铁基体(10)的界面的致密性,能够减少针孔数。
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公开(公告)号:CN1572005A
公开(公告)日:2005-01-26
申请号:CN03801313.4
申请日:2003-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C22C38/005 , B22F2998/10 , C22C33/0228 , C22C33/0278 , C22C38/06 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/0557 , H01F1/0577 , H01F41/0253 , B22F9/023 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/10
Abstract: 一种R-T-B系稀土类永久磁铁的制造方法,该R-T-B系稀土类永久磁铁是由含有由R2T14B相(R是稀土类元素的1种或2种以上(但稀土类元素是含有Y的概念)、T是以Fe或以Fe和Co为必需的1种或2种以上的过渡金属元素)构成的主相、以及比主相含有更多R的晶界相的烧结体构成、其中在R2T14B相内存在富集Zr的生成物,该制造方法包含下列工序:以R2T14B相为主体的含有Zr的R-T-B合金、以及比所述R-T-B合金含有更多R的以R和T为主体的R-T合金的制作工序、得到R-T-B合金组成的粉末与所述R-T合金组成的粉末的混合物的工序、制作由混合物构成的预定形状的烧结体的工序、以及烧结成形体的工序,在烧结工序使生成物在R2T14B相内生成。
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