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公开(公告)号:CN104817320B
公开(公告)日:2018-06-26
申请号:CN201510053686.5
申请日:2015-02-02
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/475 , C04B35/453 , C04B35/26 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1878 , C04B35/475 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/327 , H01L41/0805 , H01L41/083 , H01L41/18 , H01L41/316
Abstract: 本发明的目的在于提供一种压电特性、尤其是自发极化和位移大,进一步从低公害化、对环境性以及生态学的观点出发也优异的压电组合物和压电元件。该压电组合物的特征在于,主成分是钙钛矿型结构的下述通式所表示的物质。(Bi(0.5x+y+z)Na0.5x)m(Ti(x+0.5y)Mg0.5yMez)O30.05≦x≦0.70.01≦y≦0.70.01≦z≦0.60.75≦m≦1.0(式中,x+y+z=1,上述过渡金属元素Me为选自Mn、Cr、Fe或Co中的任意一种以上。)。
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公开(公告)号:CN107235723A
公开(公告)日:2017-10-10
申请号:CN201710190349.X
申请日:2017-03-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/48 , C23C14/34 , H01L41/187
Abstract: 本发明提供一种在无铅压电薄膜的制造中可以充分地抑制漏电的发生的压电陶瓷溅射靶材。所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I):ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分,其特征在于,所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠),所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种(但是,必须有Nb(铌)),所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒和存在于所述晶粒之间的晶界构成,所述晶界中所述B成分中Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种的摩尔比与所述晶粒的晶粒内的摩尔比相比多30%以上。
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公开(公告)号:CN105073684A
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201480017478.3
申请日:2014-02-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/475 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/475 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3298 , H01B3/12 , H01G4/1218 , H01G4/30
Abstract: 本发明的目的在于提供一种5V/μm的DC偏置变化率非常小以至小到-15%以内,并且具有1000以上的比较高的相对介电常数的介电陶瓷组合物以及使用了该介电陶瓷组合物的介电元件。本发明所涉及的介电陶瓷组合物为由下述通式(1)所表示的复合氧化物,{[(BisNat)a(BiuKv)bBac]1-dAd}xTi1-dNbdO3 (1)[在通式(1)中,A表示选自Li、Na、K中的至少一种元素。a、b、c、d、s、t、u、v以及x分别是满足下述关系式的数字。]0.10≤a<0.950.00<b≤0.850.05≤c≤0.70a+b+c=10.10≤d≤0.500.90≤s+u≤1.000.45≤t≤0.500.45≤v≤0.500.95≤x≤1.05。
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公开(公告)号:CN104628380A
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201410643703.6
申请日:2014-11-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/475 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1878 , H01L41/0805 , H01L41/083 , H01L41/273 , H01L41/316
Abstract: 本发明从压电特性、尤其是自发极化大、电阻率充分高、低公害化、环境性以及生态学的观点出发,其目的在于提供一种优异的压电组合物以及压电元件。该压电组合物的特征在于:主成分包含钙钛矿型结构的下述通式所表示的物质。(Bi(0.5x+y+z)Na0.5x)m(Tix+0.5yMg0.5yAlz)O3式中,0.01≤x≤0.8,0.2≤y≤0.8,0.01≤z≤0.6,0.75≤m≤1.0,并且x+y+z=1。
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公开(公告)号:CN101274849B
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN200810087857.6
申请日:2008-03-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/462 , H01L41/187
CPC classification number: C04B35/6262 , C04B35/462 , C04B35/475 , C04B35/49 , C04B35/638 , C04B2235/3201 , C04B2235/3215 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/6562 , C04B2235/72 , C04B2235/768 , C04B2235/79
Abstract: 本发明涉及一种压电常数(d)大并且Qm值也大的压电陶瓷组合物。该压电陶瓷组合物具有相当于如下固溶体的组成,该固溶体含有具有菱方晶系钙钛矿结构的第一化合物、具有正方晶系钙钛矿结构的第二化合物、第三化合物,该第三化合物是将Bi作为第一构成元素、将Mn作为第二构成元素、将四价金属元素或五价金属元素作为第三构成元素的复合氧化物。四价金属元素是从Ti、Zr、Hf、Sn中选出的至少一种。五价金属元素是从Nb、Ta、Sb中选出的至少一种。
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公开(公告)号:CN1830897A
公开(公告)日:2006-09-13
申请号:CN200610056980.2
申请日:2006-03-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/491 , H01L41/187
Abstract: 本发明提供一种压电陶瓷组合物,其主成分为以Pb、Ti、Zr为构成元素的复合氧化物,含有从Mn、Co、Cr、Fe、Ni中选择的至少一种作为第一副成分,该第一副成分的含量换算成氧化物为小于等于0.2质量%(但不包括0);或者,含有以CuOx(x≥0)表示的成分中的至少一种作为第一副成分,此时的第一副成分的含量换算成CuO为小于等于3.0质量%(但不包括0)。压电陶瓷组合物在还原烧成条件下烧成,所述还原烧成条件例如为烧成温度在800℃~1200℃,氧分压为1×10-10~1×10-6大气压。本发明可以使用Cu、Ni等廉价金属材料作为电极材料,可以抑制高温下电阻、电气机械结合系数kr的下降。
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公开(公告)号:CN104628380B
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201410643703.6
申请日:2014-11-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/475
CPC classification number: H01L41/1878 , H01L41/0805 , H01L41/083 , H01L41/273 , H01L41/316
Abstract: 本发明从压电特性、尤其是自发极化大、电阻率充分高、低公害化、环境性以及生态学的观点出发,其目的在于提供一种优异的压电组合物以及压电元件。该压电组合物的特征在于:主成分包含钙钛矿型结构的下述通式所表示的物质。(Bi(0.5x+y+z)Na0.5x)m(Tix+0.5yMg0.5yAlz)O3式中,0.01≤x≤0.8,0.2≤y≤0.8,0.01≤z≤0.6,0.75≤m≤1.0,并且x+y+z=1。
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公开(公告)号:CN103172374A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201210574865.X
申请日:2012-12-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/495 , H01L41/187 , H01L41/083
CPC classification number: H01L41/1873 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3244 , H01L41/083
Abstract: 本发明要解决的技术问题是:烧结时,铌酸锂钠钾容易发生异常晶粒生长,会产生晶粒尺寸为数十微米(μm)以上的巨大晶粒。本发明提供一种压电陶瓷及使用其的压电元件,该压电陶瓷以由不含铅(Pb)作为构成元素的复合氧化物构成的组合物为主要成分,因此环保性能优良,并且其相对介电常数、机电耦合系数、压电常数等的压电特性优异。该压电陶瓷以由通式(1)所表示的组合物为主要成分,(K1-x-y-w-vNaxLiyBawSrv)m(Nb1-z-uTaz-Zru)O3…(1)(其中,式中的x、y、z、w、v、u以及m分别为0.4
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公开(公告)号:CN101239820A
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200810082146.X
申请日:2005-03-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/462 , C04B35/49 , H01L41/08 , H01L41/187
CPC classification number: C04B35/493 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3294 , H01L41/083 , H01L41/1876
Abstract: 压电陶瓷和压电元件:本发明提供一种能够在低温中烧结,同时能够提高压电特性的压电陶瓷和压电元件。含有Pba[(Znb/3Nb2/3)xTiyZrz]O3(0.94≤a≤1.02、1<b≤3、x+y+z=1、0.05≤x<0.125、0.275<y≤0.5、0.375<z≤0.6)或(Pbe-fMef)[(Zng/3Nb2/3)uTivZrw]O3(0.96≤e≤1.03、0.01≤f≤0.1、1<g≤3、u+v+w=1、0.05≤u<0.125、0.275<v≤0.5、0.375<w≤0.6、Me是Sr、Ba、Ca)。通过过剩地包含Zn,能够降低烧结温度,提高压电特性。
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公开(公告)号:CN101038807A
公开(公告)日:2007-09-19
申请号:CN200710005457.1
申请日:2007-02-08
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/10
CPC classification number: H01F1/36 , C04B35/2658 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/6584 , H01F1/22
Abstract: 本发明的目的是提供在100℃下具有更高的饱和磁通密度,而且在100℃下的磁心损耗低的铁氧体材料。本发明的铁氧体材料由烧结体构成,所述烧结体中作为主成分含有以Fe2O3换算计为x(mol%)的Fe、以MnO换算计为y(mol%)的Mn、以ZnO换算计为z(mol%)的Zn,且作为副成分含有相对于主成分以Li2CO3换算计为v(wt%)的Li,其中各个成分之比是x=55.7~60、z=3~8.5、y=100-x-z、v=0.3~0.8,而且当x1=52.9-0.1z+8.5v、x2=54.4-0.1z+8.5v时,具有x1≤x≤x2的关系。
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