公开(公告)号：CN109073920A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780024856.4

申请日：2017-04-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岩塚信治 ,  佐佐木权治

IPC: G02F1/035

Abstract: 本发明提供一种高频特性良好并且调制光的波长啁啾减少的单驱动型的光调制器。光调制器(100)具备：包括第1和第2光波导(10a,10b)的马赫-曾德尔光波导(10)、覆盖第1和第2光波导(10a,10b)的缓冲层(4)、以及电极层(6)，该电极层(6)具有：第1和第2接地电极(8,9)、以及在俯视时位于第1和第2接地电极(8,9)之间的信号电极(7)；信号电极(7)具有：经由缓冲层(4)而覆盖第1光波导(10a)的第1下表面(S11)；第1接地电极(8)具有：经由缓冲层(4)而覆盖第2光波导(10b)的第1下表面(S21)和位于第1下表面(S21)的上方的第2下表面(S22)；信号电极(7)和第2接地电极(9)之间的间隔(G3)大于信号电极(7)和第1接地电极(8)之间的间隔(G2)。

公开(公告)号：CN100437213C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200510005643.6

申请日：2005-01-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岩塚信治

IPC: G02F1/09 ,  G02B27/28

CPC classification number: G02F1/09

Abstract: 本发明涉及用于光通信系统的可变光衰减器及光调制器或者光开关等的磁光光部件，其目的在于，提供一种小型、低功耗并且高速的可变光衰减器、光调制器、光开关等的磁光光部件。该磁光光部件构成为具有由与光入射出射面垂直的方向的磁化构成的磁畴A、由与磁畴A的磁化方向相反的方向的磁化构成的磁畴B、成为上述磁畴A与磁畴B的边界的平面状的磁壁I、包括了行进方向相同的多条光分别透过、与磁壁I之间的距离大致相等的2个光透射区C1、C2的至少1个法拉第转子(20)；以及对法拉第转子(20)施加可变磁场使磁壁I的位置可变的磁场施加机构。

公开(公告)号：CN109073920B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201780024856.4

申请日：2017-04-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岩塚信治 ,  佐佐木权治

IPC: G02F1/035

Abstract: 本发明提供一种高频特性良好并且调制光的波长啁啾减少的单驱动型的光调制器。光调制器(100)具备：包括第1和第2光波导(10a,10b)的马赫‑曾德尔光波导(10)、覆盖第1和第2光波导(10a,10b)的缓冲层(4)、以及电极层(6)，该电极层(6)具有：第1和第2接地电极(8,9)、以及在俯视时位于第1和第2接地电极(8,9)之间的信号电极(7)；信号电极(7)具有：经由缓冲层(4)而覆盖第1光波导(10a)的第1下表面(S11)；第1接地电极(8)具有：经由缓冲层(4)而覆盖第2光波导(10b)的第1下表面(S21)和位于第1下表面(S21)的上方的第2下表面(S22)；信号电极(7)和第2接地电极(9)之间的间隔(G3)大于信号电极(7)和第1接地电极(8)之间的间隔(G2)。

公开(公告)号：CN109477985A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044606.7

申请日：2017-07-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木权治 ,  岩塚信治

IPC: G02F1/03 ,  G02B6/12 ,  G02F1/035

Abstract: 本发明提供一种带介电薄膜的基板，即使在将铌酸锂膜的膜厚增厚至例如1μm以上的情况下，也难以产生裂纹。本发明的带介电薄膜的基板具备：单晶基板(2)；介电薄膜(3)，其由外延形成于单晶基板(2)的主面(2a)的c轴取向的铌酸锂构成。介电薄膜(3)具有包含第一结晶和以c轴为中心使第一结晶进行了180°旋转得到的第二结晶的双晶结构，X射线衍射法进行的极点测定中，对应于第一结晶的第一衍射强度与对应于第二结晶的第二衍射强度之比为0.5以上且2.0以下。由此，容易缓和蓄积于铌酸锂膜内部的应变，因此可抑制伴随膜厚增加的裂纹的产生。

公开(公告)号：CN115023642A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202180011004.8

申请日：2021-01-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岩塚信治 ,  远藤谦二 ,  原裕贵

IPC: G02F1/035

Abstract: [技术问题]提供一种光调制元件，能够在50GHz以下的低频下抑制电极损耗，同时在50GHz以上的高频下抑制辐射损耗。[解决手段]光调制元件(1)包括基板(2)和设置在基板(2)上的至少一个相互作用部(MZ)。相互作用部(MZ)包括：形成在基板(2)上的彼此相邻的第一和第二光波导(10a、10b)，和分别与第一和第二光波导(10a、10b)对置地设置的第一和第二信号电极(7a、7b)。在相互作用部(MZ)的附近区域(NZ)没有配置接地电极，在与第一和第二信号电极(7a、7b)电连接的输入部和终端部的至少一者的附近配置有接地电极。

公开(公告)号：CN114730105A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080079772.2

申请日：2020-10-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原裕贵 ,  岩塚信治

IPC: G02F1/035

Abstract: [技术问题]改善因一对光波导的非对称性导致的消光比的恶化。[解决方案]光调制器(1)包括具有彼此平行地设置的第一和第二波导(5A、5B)的马赫曾德尔光波导(2)、和控制在马赫曾德尔光波导(2)中传播的光的相位的信号电极。第一和第二波导(5A、5B)具有第二波导(5B)的线宽比第一波导(5A)的线宽窄的第一区间(ZA1)、和第一波导(5A)的线宽比第二波导(5B)的线宽窄的第二区间(ZA2)。第一区间(ZA1)和第二区间(ZA2)在弯曲部(5C1、5C2)发生切换。

公开(公告)号：CN106468835A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610698462.4

申请日：2016-08-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岩塚信治 ,  佐佐木权治 ,  白井智士

IPC: G02F1/035 ,  G02B6/12

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02B6/122 ,  G02B6/126 ,  G02B6/2813 ,  G02B6/29352 ,  G02F2001/212 ,  G02F2202/20 ,  G02F2203/07 ,  G02F1/035 ,  G02B6/12 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12142

Abstract: 光波导元件和使用其的光调制器。本发明提供一种即使减小脊宽也可以抑制TM基模的传播损耗的脊型光波导元件。其具备基板(1)和由形成于基板(1)上的铌酸锂膜构成的波导层(2)。波导层(2)具有：具有规定的厚度的平板部(4)和从平板部(4)突出的脊部(3)。平板部(4)的厚度小于在脊部(3)中传播的光的波长的0.4倍。由此，由于TE平板模的有效折射率充分地降低，因此，TM基模与TE平板模的结合变少。由此，可以抑制TM基模的传播损耗。

公开(公告)号：CN1609659A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410086940.3

申请日：2004-10-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岩塚信治

IPC: G02B27/28 ,  G02F1/09 ,  G02B6/26

CPC classification number: G02B6/2746 ,  G02F1/093 ,  G02F2203/02

Abstract: 本发明涉及利用于光通信系统中的反射型光循环器和反射型光隔离器等反射型光学部件，以提供能简化元件结构并可获得良好的光学特性的反射型光学部件为目的。其具备：将来自光入出射端口(P1)的光分离为正常光(L2a)和异常光(L2b)的双折射板(11)；使光(L2a)的偏振光方位旋转再作为光(L3a)射出的法拉第旋转器(20)的磁畴A；使光(L2b)的偏振光方位旋转再作为具有与光(L3a)的偏振光方位大致平行的偏振光方位的光(L3b)射出的法拉第旋转器(20)的磁畴B；使光(L3a、L3b)作为异常光透过的双折射板(13)；使经反射膜(30)反射再通过双折射板(13)和磁畴B的光(L7b)作为正常光透过、并使光(L8)从光入出射端口(P2)射出的双折射板(12)。

公开(公告)号：CN111051970B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201880054814.X

申请日：2018-07-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岩塚信治 ,  远藤真 ,  佐佐木权治

IPC: G02F1/035

Abstract: 本发明提供电极损耗低且高频特性良好并且能够通过向光波导施加的电场效率的提高来进行低电压驱动的光调制器。光调制器(100)具备：互相相邻的第一和第二光波导(10a、10b)，其由在基板(1)上脊状地形成的电光材料膜构成；缓冲层(4)，其至少覆盖第一和第二光波导(10a、10b)的上表面；以及第一和第二信号电极(7a、7b)，其设置于缓冲层(4)的上方。第一和第二信号电极(7a、7b)分别具有：经由缓冲层(4)而分别与第一和第二光波导(10a、10b)相对的第一和第二下层部(7aL、7bL)、以及分别设置于第一和第二下层部(7aL、7bL)的上方的第一和第二上层部(7aH、7bH)，下层部(7aL、7bL)的下表面的宽度(WaL、WbL)比上层部(7aH、7bH)的宽度(W7a、W7b)窄。

公开(公告)号：CN111164496B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201880064586.4

申请日：2018-09-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岩塚信治 ,  远藤真 ,  佐佐木权治

IPC: G02F1/035

Abstract: 本发明提供具有能够减小DC漂移的装置结构的光调制器。光调制器(100)具备：基板(1)；波导层(2)，其由在基板(1)上脊状地形成的电光材料膜构成，且包含互相相邻的第一和第二光波导(10a、10b)；RF部(SRF)，其对光波导(10a、10b)施加调制信号；以及DC部(SDC)，其对光波导(10a、10b)施加DC偏置。DC部(SDC)包含：缓冲层(4)，其至少覆盖光波导(10a、10b)的上表面；偏置电极(9a)，其经由缓冲层(4)而与第一光波导(10a)相对；以及偏置电极(9c)，其邻接于偏置电极(9a)而设置，对偏置电极(9a、9c)之间施加DC偏压，至少在偏置电极(9a、9c)之间的下方，设置有波导层(2)的至少一部分被去除了的波导层去除区域(D)。