公开(公告)号：CN112469536B

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN201980049993.2

申请日：2019-08-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 直井克夫 ,  津田启史 ,  定地龙男

IPC: B24B27/06 ,  B24B49/12 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供可高精度且容易地检测刀片的颤动的切削装置。切削装置具有：载物台，其设置对象物；切削部，其具有切削上述对象物的刀片和使上述刀片旋转的旋转驱动部；Z轴移动机构，其使上述载物台或上述切削部在改变设置面和旋转轴的距离的Z轴方向上移动；X轴移动机构，其使上述载物台或上述切削部在X轴方向上移动；第一光电检测部，其具有射出光的第一射出部和在与上述第一射出部之间配置为夹着上述刀片的边缘部分且供由上述第一射出部射出的光入射的第一入射部，检测上述边缘部分的位置，连结上述第一射出部和上述第一入射部的第一检测轴相对于上述刀片的旋转面在倾斜方向上交叉。

公开(公告)号：CN112469536A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980049993.2

申请日：2019-08-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 直井克夫 ,  津田启史 ,  定地龙男

IPC: B24B27/06 ,  B24B49/12 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供可高精度且容易地检测刀片的颤动的切削装置。切削装置具有：载物台，其设置对象物；切削部，其具有切削上述对象物的刀片和使上述刀片旋转的旋转驱动部；Z轴移动机构，其使上述载物台或上述切削部在改变设置面和旋转轴的距离的Z轴方向上移动；X轴移动机构，其使上述载物台或上述切削部在X轴方向上移动；第一光电检测部，其具有射出光的第一射出部和在与上述第一射出部之间配置为夹着上述刀片的边缘部分且供由上述第一射出部射出的光入射的第一入射部，检测上述边缘部分的位置，连结上述第一射出部和上述第一入射部的第一检测轴相对于上述刀片的旋转面在倾斜方向上交叉。

公开(公告)号：CN101685854A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910175623.1

申请日：2009-09-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 江元和敏 ,  直井克夫 ,  桧圭宪 ,  三枝昌宽 ,  平野政义

IPC: H01M4/04 ,  H01G9/04 ,  H01G9/058 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01G9/0029 ,  H01G11/28 ,  H01G11/86 ,  H01G13/00 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/0409 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明提供一种电极制造方法，该方法对在表面上具有突起物的薄片，能够均匀地涂布涂布液。根据借助于电极制造装置(100)的电极制造方法，具有：倾斜工序，通过挤压集电体薄片(2A)的表面，其中，所述集电体薄片(2A)具有从在一定方向上被传送的表面延伸至外面的突起部(4a)，从而使该突起部(4a)在与集电体薄片(2A)的一定方向相反的方向上倾斜；和涂布工序，对通过倾斜工序使突起部倾斜并且在上述一定方向上被传送的集电体薄片(2A)，由狭缝口模(12)来涂布涂布液(3A)。通过挤压集电体薄片(2A)的表面，使薄片表面的突起部(4a)在与传送方向相反的方向上倾斜之后，在该表面上涂布涂布液(3A)。因此，对集电体薄片(2A)能够均匀地涂布涂布液(3A)。

公开(公告)号：CN101546846A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910129457.1

申请日：2009-03-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 直井克夫 ,  西泽建治 ,  向后美津雄

IPC: H01M10/36 ,  H01M10/40 ,  H01M10/38 ,  H01M4/02 ,  H01M2/14 ,  H01M10/42

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M10/058 ,  H01M10/4235 ,  H01M2200/10

Abstract: 一种电化学装置，具备：含有正极(20)、负极(10)、以及第1分隔层(40)的层叠构造的电极素体(85)，以及分别与正极(20)和负极(10)电连接的第1和第2虚拟电极(60、70)；第1和第2虚拟电极(60、70)在电极素体(85)的外周部具有隔着第2分隔层(45)而相对的相对部分(80)，第1和第2虚拟电极(60、70)的一方或双方至少在相对部分(80)的相互相对的一侧具有阻抗控制层，阻抗控制层具有第1和第2虚拟电极(60、70)之间的内部短路估计电流成为相当于0.09C～相当于1.00C的范围的阻抗值，第1和第2虚拟电极(60、70)以在比正极(20)和负极(10)更低的温度下发生短路的方式构成。

公开(公告)号：CN1706773A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510079161.5

申请日：2001-11-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 人见笃志 ,  松岡大 ,  千田直树 ,  小笠原稔 ,  竹岛勉 ,  直井克夫

IPC: C04B35/45 ,  C04B35/468 ,  C04B35/47

Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分；第二成分和第三成分至少之一，第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成，第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成；以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40，0.30≤b/(a+b+c)≤0.50，0.20≤c/(a+b+c)≤0.50，0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16，1.0≤(e+f)/d×100≤10.0，以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成，并具有形成压缩应力的表面。

公开(公告)号：CN101740812B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200910221901.2

申请日：2009-11-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 直井克夫 ,  江元和敏 ,  桧圭宪 ,  三枝昌宽 ,  西泽建治 ,  向后美津雄

IPC: H01M10/056 ,  H01G9/025 ,  C09D201/00 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058 ,  H01M10/00

CPC classification number: H01M2/162 ,  C08J7/047 ,  C08J2309/02 ,  C08J2327/00 ,  H01M2/1653 ,  H01M10/0565 ,  Y10T428/24132

Abstract: 本发明涉及一种含有纤维的高分子膜，含有主体聚合物(hostpolymer)以及纤维状物质(42)，该含有纤维的高分子膜具有取向区域，在所述取向区域中，在实质上与含有纤维的高分子膜的主面平行的方向上，所述纤维状物质42在实质上相同的方向上取向。

公开(公告)号：CN101685851B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200910175624.6

申请日：2009-09-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 直井克夫 ,  江元和敏 ,  桧圭宪 ,  三枝昌宽 ,  西泽建治 ,  向后美津雄

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/80 ,  H01G9/04

CPC classification number: H01G11/28 ,  H01G11/32 ,  H01M4/661 ,  H01M4/70 ,  H01M4/742 ,  H01M10/052 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明是提供一种电极，该电极在集电体和活性物质层之间具有高密着性，并且阻抗低。电极(1)具备具有多个贯通孔(4)的集电体(2)和设置在集电体(2)的两个面上的活性物质层(3)，集电体(2)具有从贯通孔(4)的边缘部分别延伸至集电体(2)的表面侧或者背面侧的突起部(4a、4b)，并且该突起部(4a、4b)与所述集电体的面方向的所成的角为30～80°。由于突起部(4a、4b)成为被活性物质层(3)包围的构成，并且由于产生物理的锚固效果，因此具有高密着性。另外，由于突起部(4a、4b)相对于集电体(2)的面方向倾斜，因此在突起部相对于集电体(2)的面方向垂直延伸的情况下，与该突起部相隔开的活性物质和包含突起部(4a、4b)的集电体(2)的距离变短。因此，导电通道变短，从而能够降低阻抗。

公开(公告)号：CN1905102B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200610105765.7

申请日：2006-07-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木长 ,  直井克夫

IPC: H01G9/058 ,  H01M4/04

CPC classification number: H01G11/32 ,  H01G11/86 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/49115

Abstract: 按照本发明，通过在制作电化学元件用电极时为了除去构成电极的活性碳等的细孔内吸附的粘合剂溶剂而采用由超临界状态的二氧化碳进行的处理法、以及进而使用低沸点溶剂以对该超临界状态的处理法进行改进的处理法，由此可增大作为活性物质的碳质材料的静电电容，进而可使电化学元件的可靠性提高。

公开(公告)号：CN1890766A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200480035761.5

申请日：2004-12-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桧圭宪 ,  宫木阳辅 ,  片井一夫 ,  直井克夫 ,  堀入英司 ,  森田祐吉

IPC: H01G9/058

CPC classification number: H01G11/28 ,  H01G11/38 ,  H01G11/86 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7022

Abstract: 本发明提供一种在电极层与铝蚀刻箔集电体的密接性方面非常优良的双电荷层电容器用电极。该双电荷层电容器用电极包括集电体、集电体上的底涂层、底涂层上的电极层，所述集电体由铝箔制成，所述底涂层至少含有导电性粒子(P)和粘合剂(B)，其重量比P/B＝0.25～2.33，所述粘合剂(B)的主成分为含氟聚合物，电极层至少含有碳材料和粘合剂。

公开(公告)号：CN1353097A

公开(公告)日：2002-06-12

申请号：CN01137696.1

申请日：2001-11-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 人见笃志 ,  松岡大 ,  千田直树 ,  小笠原稔 ,  竹岛勉 ,  直井克夫

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/465 ,  H01C7/10

Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。