公开(公告)号：CN108695064A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810294183.0

申请日：2018-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 芝原豪 ,  永峰佑起 ,  田中美知 ,  山﨑久美子

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种介电特性优异的电介质薄膜及电容元件。所述电介质薄膜其特征在于，该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n＝5)表示的氧氮化物构成的主组成，所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上，所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上，构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶，所述电介质薄膜所包含的晶粒的微晶的尺寸为100nm以下。

公开(公告)号：CN114551101B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202111319204.8

申请日：2021-11-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  石津谷正英 ,  芝原豪

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种即使薄层化，可靠性也不会恶化，并且抑制裂纹的产生的层叠电子部件。该层叠电子部件具备将电介质层和内部电极层交替层叠的元件主体，其中，内部电极层的厚度偏差比电介质层的厚度偏差大。

公开(公告)号：CN108695064B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201810294183.0

申请日：2018-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 芝原豪 ,  永峰佑起 ,  田中美知 ,  山﨑久美子

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种介电特性优异的电介质薄膜及电容元件。所述电介质薄膜其特征在于，该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n＝5)表示的氧氮化物构成的主组成，所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上，所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上，构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶，所述电介质薄膜所包含的晶粒的微晶的尺寸为100nm以下。

公开(公告)号：CN109767915A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811329269.9

申请日：2018-11-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山﨑久美子 ,  永峰佑起 ,  芝原豪 ,  梅田裕二 ,  山﨑纯一

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种具有钙钛矿结构的金属氮氧化物薄膜，其中，所述金属氮氧化物薄膜具有以组成式A1+αBOx+αNy表示的组成，α大于0且为0.300以下，x+α大于2.450，y为0.300以上且0.700以下，是平行于与钙钛矿结构的c轴垂直的面的层状结构，并且具备具有以通式AO表示的组成的AO结构，AO结构与钙钛矿结构结合而进入钙钛矿结构中。

公开(公告)号：CN114551101A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111319204.8

申请日：2021-11-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  石津谷正英 ,  芝原豪

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种即使薄层化，可靠性也不会恶化，并且抑制裂纹的产生的层叠电子部件。该层叠电子部件具备将电介质层和内部电极层交替层叠的元件主体，其中，内部电极层的厚度偏差比电介质层的厚度偏差大。

公开(公告)号：CN108695063B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201810293209.X

申请日：2018-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 芝原豪 ,  永峰佑起 ,  山﨑久美子

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/33 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种制造效率高、介电特性优异的具有由氧氮化物构成的主组成的电介质薄膜及包含其的电容元件。所述电介质薄膜其特征在于，该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n＝5)表示的氧氮化物构成的主组成，所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上，所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上，构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶，而且由柱状的颗粒构成。

公开(公告)号：CN109767915B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201811329269.9

申请日：2018-11-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山﨑久美子 ,  永峰佑起 ,  芝原豪 ,  梅田裕二 ,  山﨑纯一

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种具有钙钛矿结构的金属氮氧化物薄膜，其中，所述金属氮氧化物薄膜具有以组成式A1+αBOx+αNy表示的组成，α大于0且为0.300以下，x+α大于2.450，y为0.300以上且0.700以下，是平行于与钙钛矿结构的c轴垂直的面的层状结构，并且具备具有以通式AO表示的组成的AO结构，AO结构与钙钛矿结构结合而进入钙钛矿结构中。

公开(公告)号：CN108695063A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810293209.X

申请日：2018-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 芝原豪 ,  永峰佑起 ,  山﨑久美子

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/33 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种制造效率高、介电特性优异的具有由氧氮化物构成的主组成的电介质薄膜及包含其的电容元件。所述电介质薄膜其特征在于，该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n＝5)表示的氧氮化物构成的主组成，所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上，所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上，构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶，而且由柱状的颗粒构成。