公开(公告)号：CN108702565B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201580085473.9

申请日：2015-12-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： G.罗卡 ,  T.汉茨利克

IPC: H04R3/00 ,  H03F3/185

Abstract: MEMS电容性传感器(MCS）包括电容器（CMEMS），该电容器（CMEMS）包括背板（BP）和膜（M），其中该电容器（CMEMS）被布置在衬底（B）上。该电容性传感器（MCS）包括连接至该背板（BP）以提供输出信号（OS）的输出端（MOUT），连接至该膜（M）以施加偏压（Vbias）的偏压输入端（MBIAS），以及连接至衬底（B）以施加供应电压（VDD）的供应电压输入端（MVDD）。MEMS电容性传感器（MCS）可经由端（MOUT、MBIAS、MVDD）被耦合至用来提供偏压（Vbias）并且放大输出信号（OS）的信号处理电路。信号处理电路（SPC）和MEMS电容性传感器的接口连接在SNR性能和/或成本减少的方面提供优点。

公开(公告)号：CN108702565A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201580085473.9

申请日：2015-12-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： G.罗卡 ,  T.汉茨利克

IPC: H04R3/00 ,  H03F3/185

Abstract: MEMS电容性传感器(MCS）包括电容器（CMEMS），该电容器（CMEMS）包括背板（BP）和膜（M），其中该电容器（CMEMS）被布置在衬底（B）上。该电容性传感器（MCS）包括连接至该背板（BP）以提供输出信号（OS）的输出端（MOUT），连接至该膜（M）以施加偏压（Vbias）的偏压输入端（MBIAS），以及连接至衬底（B）以施加供应电压（VDD）的供应电压输入端（MVDD）。MEMS电容性传感器（MCS）可经由端（MOUT、MBIAS、MVDD）被耦合至用来提供偏压（Vbias）并且放大输出信号（OS）的信号处理电路。信号处理电路（SPC）和MEMS电容性传感器的接口连接在SNR性能和/或成本减少的方面提供优点。