公开(公告)号：EP0250301B1

公开(公告)日：1991-02-27

申请号：EP87401323.8

申请日：1987-06-12

Applicant: THOMSON-CSF

Inventor： Mamodaly, Narguise ,  Colin, Pascal ,  Bert, Alain ,  Obregon, Juan

IPC: H03B5/18

CPC classification number: H03B5/1876 ,  H03B5/1852 ,  H03B19/14 ,  H03B2200/007 ,  H03B2200/0088 ,  H03B2200/009 ,  H03B2200/0098 ,  H03B2202/088

公开(公告)号：EP0250301A1

公开(公告)日：1987-12-23

申请号：EP87401323.8

申请日：1987-06-12

Applicant: THOMSON-CSF

Inventor： Mamodaly, Narguise ,  Colin, Pascal ,  Bert, Alain ,  Obregon, Juan

IPC: H03B5/18

CPC classification number: H03B5/1876 ,  H03B5/1852 ,  H03B19/14 ,  H03B2200/007 ,  H03B2200/0088 ,  H03B2200/009 ,  H03B2200/0098 ,  H03B2202/088

Abstract: L'invention concerne un oscillateur doubleur à faible bruit à proximité de la fréquence porteuse.
L'oscillateur doubleur selon l'invention est de type "push-push" comportant deux transistors (1, 2) montés en parallèle. Les grilles de ces deux transistors ont un circuit oscillant commun, constitué par deux lignes microbandes (11, 14), deux résistances (13, 16) et un résonateur diélectrique (17) commun, positionné entre les deux lignes microbandes (11, 14). Pour diminuer dans la charge (9) le bruit basse fréquence aux environs de la porteuse, les sources de bruit BF non corrélées des transistors (1, 2) sont soit mises en série au moyen d'une self (18) et de deux capacités (12, 15) montées aux extrémités des microbandes, soit chargées sur une impédance infinie grâce à deux capacités (12, 15) montées aux extrémités des microbandes.
Application aux systèmes hyperfréquneces, radars, télécom­munications.