静電チャック
    1.
    发明专利
    静電チャック 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021040112A

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:JP2019162316

    申请日:2019-09-05

    Abstract: 【課題】プラズマ密度の面内均一性を高めることができる静電チャックを提供する。 【解決手段】第1、第2主面を有するセラミック誘電体基板と、ベースプレートと、セラミック誘電体基板の内部に設けられる第1、第2電極層と、を備え、第1電極層は第1主面と第2主面との間に設けられ、第2主面側から給電され、第2電極層は第1電極層と第1主面との間に設けられ、第1電極層は中央側に位置する第1部分と外周側に位置する第2部分とを有し、第1部分は第1、第2面を有し、第2部分は第3、第4面を有し、第3面は第1面と第2電極層との間に位置し、第3面と第1主面との間の距離は一定であり、第2部分の端部における第3面と第4面との間の距離は、第2部分の中央部における第3面と第4面との間の距離よりも小さいことを特徴とする静電チャック。 【選択図】図1

    静電チャック
    2.
    发明专利
    静電チャック 审中-公开

    公开(公告)号:JP2020167403A

    公开(公告)日:2020-10-08

    申请号:JP2020051445

    申请日:2020-03-23

    Abstract: 【課題】極低温の環境下における、セラミック誘電体基板のベースプレートからの剥離や、セラミック誘電体基板の割れを抑制できる静電チャックを提供する。 【解決手段】セラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、を備え、−60℃における前記接合層の伸び率α1は、120%以上であることを特徴とする静電チャック。 【選択図】図6

    静電チャック
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:JP6641608B1

    公开(公告)日:2020-02-05

    申请号:JP2019086027

    申请日:2019-04-26

    Abstract: 【課題】プラズマ密度の面内均一性を高めつつ、RF応答性も高めることができる静電チャックを提供する。 【解決手段】第1主面と第2主面とを有するセラミック誘電体基板と、ベースプレートと、セラミック誘電体基板の内部に設けられ高周波電源と接続される第1電極層と、セラミック誘電体基板の内部に設けられ吸着用電源と接続される第2電極層と、を備え、第1電極層はZ軸方向において第1主面と第2主面との間に設けられ、第2電極層はZ軸方向において第1電極層と第1主面との間に設けられ、第1電極層は、第1主面側の第1面と、第1面とは反対側の第2面と、を有し、第2面側から給電され、第1面と第1主面との間のZ軸方向に沿う距離は一定であり、第1電極層の端部における第2面と第1面との間のZ軸方向に沿う距離は、第1電極層の中央部における第2面と第1面との間のZ軸方向に沿う距離よりも小さいことを特徴とする静電チャック。 【選択図】図2

    静電チャック
    4.
    发明专利

    公开(公告)号:JP6587223B1

    公开(公告)日:2019-10-09

    申请号:JP2019086029

    申请日:2019-04-26

    Abstract: 【課題】RF応答性を高めつつ、プラズマ密度の面内均一性を高めることができる静電チャックを提供する。 【解決手段】吸着の対象物が載置される第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、セラミック誘電体基板の内部に設けられ、高周波電源と接続される少なくとも1つの第1電極層と、を備え、第1電極層は、ベースプレートからセラミック誘電体基板に向かうZ軸方向において、第1主面と第2主面との間に設けられ、第1電極層は、第1主面側の第1面と、第1面とは反対側の第2面と、を有し、第2面の表面粗さは、第1面の表面粗さよりも大きいことを特徴とする静電チャック。 【選択図】図2

    静電チャック
    5.
    发明专利

    公开(公告)号:JP6341457B1

    公开(公告)日:2018-06-13

    申请号:JP2018031301

    申请日:2018-02-23

    Abstract: 【課題】処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる静電チャックを提供することを目的とする。 【解決手段】処理対象物が載置される第1主面を有するセラミック誘電体基板と、セラミック誘電体基板に設けられた電極層と、セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、ベースプレートと第1主面との間に設けられたヒータプレートと、を備え、ヒータプレートは、電流が流れることにより発熱する第1のヒータエレメントと、電流が流れることにより発熱する第2のヒータエレメントと、を有し、第1主面に対して垂直な方向に沿って見たときに、第1のヒータエレメントの折れ曲がりは、第2のヒータエレメントの折れ曲がりよりも多く、第1のヒータエレメントは、第2のヒータエレメントの隙間に位置する部分を有することを特徴とする静電チャックが提供される。 【選択図】図5

    静電チャック
    7.
    发明专利
    静電チャック 审中-公开

    公开(公告)号:JP2016192566A

    公开(公告)日:2016-11-10

    申请号:JP2016124456

    申请日:2016-06-23

    Abstract: 【課題】温度均一性および温度制御性を満足することができる静電チャックを提供することを目的とする。 【解決手段】処理対象物を載置する第1主面と、第1主面とは反対側の第2主面と、を有し、セラミック誘電体基板と、セラミック誘電体基板とは離れた位置に設けられセラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、セラミック誘電体基板とベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、を備え、ヒータプレートは、金属を含む第1の支持板と、金属を含む第2の支持板と、第1の支持板と第2の支持板との間に設けられ電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、第1の支持板とヒータエレメントとの間に設けられた第1の樹脂層と、第2の支持板とヒータエレメントとの間に設けられた第2の樹脂層と、を有することを特徴とする静電チャックが提供される。 【選択図】図5

    静電チャック
    8.
    发明专利
    静電チャック 审中-公开

    公开(公告)号:JP2016136624A

    公开(公告)日:2016-07-28

    申请号:JP2016005348

    申请日:2016-01-14

    Abstract: 【課題】温度均一性および温度制御性を満足することができる静電チャックを提供することを目的とする。 【解決手段】処理対象物を載置する第1主面と、第1主面とは反対側の第2主面と、を有し、セラミック誘電体基板と、セラミック誘電体基板とは離れた位置に設けられセラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、セラミック誘電体基板とベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、を備え、ヒータプレートは、金属を含む第1の支持板と、金属を含む第2の支持板と、第1の支持板と第2の支持板との間に設けられ電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、第1の支持板とヒータエレメントとの間に設けられた第1の樹脂層と、第2の支持板とヒータエレメントとの間に設けられた第2の樹脂層と、を有することを特徴とする静電チャックが提供される。 【選択図】図5

    静電チャック
    9.
    发明专利
    静電チャック 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021040155A

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:JP2020195093

    申请日:2020-11-25

    Abstract: 【課題】極低温の環境下における、セラミック誘電体基板のベースプレートからの剥離や、セラミック誘電体基板の割れを抑制できる静電チャックを提供する。 【解決手段】セラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、を備え、25℃における前記接合層の伸び率α2に対する−60℃における前記接合層の伸び率α1の比α1/α2は、0.60以上であることを特徴とする静電チャック。 【選択図】図6

    静電チャック
    10.
    发明专利
    静電チャック 审中-公开

    公开(公告)号:JP2020167405A

    公开(公告)日:2020-10-08

    申请号:JP2020051447

    申请日:2020-03-23

    Abstract: 【課題】極低温の環境下における、セラミック誘電体基板のベースプレートからの剥離や、セラミック誘電体基板の割れを抑制できる静電チャックを提供する。 【解決手段】セラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、を備え、−60℃における前記接合層の接合強度β1は、0.4MPa以上10MPa以下であることを特徴とする静電チャック。 【選択図】図6

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