公开(公告)号：WO02086180A3

公开(公告)日：2003-02-06

申请号：PCT/US0210678

申请日：2002-04-04

Applicant: UNIV ILLINOIS

Inventor： MCNALLAN MICHAEL J ,  ERSOY DANIEL ,  GOGOTSI YURY ,  WELZ SASCHA

IPC: A61F2/00 ,  A61F2/30 ,  A61F2/32 ,  A61F2/34 ,  A61F2/36 ,  A61F2/38 ,  A61F2/40 ,  A61F2/42 ,  A61F2/46 ,  A61L27/30 ,  B01J3/06 ,  B01J21/18 ,  B01J27/22 ,  B01J37/24 ,  C04B35/628 ,  C04B41/50 ,  C04B41/53 ,  C04B41/85 ,  C04B41/91 ,  C23F1/00 ,  F16C11/06 ,  F16C33/04 ,  F16C33/16 ,  F16C33/30

CPC classification number: C04B41/009 ,  A61F2/30767 ,  A61F2/32 ,  A61F2/34 ,  A61F2/36 ,  A61F2/38 ,  A61F2/3804 ,  A61F2/3845 ,  A61F2/3859 ,  A61F2/3877 ,  A61F2/389 ,  A61F2/40 ,  A61F2/4059 ,  A61F2/4081 ,  A61F2/4241 ,  A61F2/4261 ,  A61F2002/30253 ,  A61F2002/30301 ,  A61F2002/30626 ,  A61F2002/30649 ,  A61F2002/30685 ,  A61F2002/30878 ,  A61F2002/30892 ,  A61F2002/30925 ,  A61F2002/30957 ,  A61F2002/3611 ,  A61F2002/4018 ,  A61F2002/4258 ,  A61F2002/4271 ,  A61F2002/4631 ,  A61F2230/0076 ,  A61F2230/0095 ,  A61F2310/00269 ,  A61F2310/00281 ,  A61F2310/00574 ,  A61F2310/0058 ,  A61F2310/00586 ,  A61L27/303 ,  B01J3/065 ,  B01J21/18 ,  B01J27/22 ,  B01J37/24 ,  B01J2203/0655 ,  C04B35/62839 ,  C04B35/62884 ,  C04B35/62897 ,  C04B41/4584 ,  C04B41/5001 ,  C04B41/5002 ,  C04B41/5346 ,  C04B41/85 ,  C04B41/91 ,  C04B2111/00353 ,  C04B2111/0081 ,  C04B2111/00836 ,  C04B2111/94 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C23F1/00 ,  F16C11/0619 ,  F16C33/043 ,  F16C33/16 ,  F16C33/30 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4519 ,  C04B41/4556 ,  C04B35/565 ,  C04B35/56

Abstract: A process for the synthesis of carbon coatings on the surface of metal carbides, preferably SiC, by etching in a halogen-containing gaseous etchant, and optionally hydrogen gas, leading to the formation of a carbon layer on the metal carbide. The reaction is performed in gas mixtures containing 0 to two moles of hydrogen for every two moles of halogen gas, preferably about 0.5 to one mole of hydrogen gas for eery two moles of halogen gas, at temperatures from about 100 DEG C to about 4,000 DEG C. preferably about 800 DEG C to about 1,000 DEG C, over any time range, maintaining a pressure of preferably about one atmosphere.

Abstract translation: 通过在含卤素的气体蚀刻剂和任选的氢气中蚀刻，在金属碳化物，优选SiC的表面上合成碳涂层的方法，导致在金属碳化物上形成碳层。 反应在含有0至2摩尔氢气的气体混合物中进行，每2摩尔卤素气体，优选约0.5至1摩尔氢气用于2摩尔卤素气体，温度为约100至约4,000度 优选约800℃至约1000℃，在任何时间范围内，保持优选约1个大气压。

公开(公告)号：WO0116054A3

公开(公告)日：2002-05-10

申请号：PCT/US0023343

申请日：2000-08-24

Applicant: UNIV ILLINOIS

Inventor： MCNALLAN MICHAEL J ,  ERSOY DANIEL ,  GOGOTSI YURY

IPC: A61F2/00 ,  A61F2/30 ,  A61F2/32 ,  A61F2/34 ,  A61F2/36 ,  A61F2/38 ,  A61F2/40 ,  A61F2/42 ,  A61F2/46 ,  A61L27/30 ,  B01J3/06 ,  B01J21/18 ,  B01J27/22 ,  B01J37/24 ,  C04B35/628 ,  C04B41/50 ,  C04B41/53 ,  C04B41/85 ,  C04B41/91 ,  F16C11/06 ,  F16C33/04 ,  F16C33/16 ,  F16C33/30 ,  A61L27/10 ,  C04B35/565 ,  H01L21/306

CPC classification number: C04B35/62839 ,  A61F2/30767 ,  A61F2/32 ,  A61F2/34 ,  A61F2/36 ,  A61F2/38 ,  A61F2/3804 ,  A61F2/3845 ,  A61F2/3859 ,  A61F2/3877 ,  A61F2/389 ,  A61F2/40 ,  A61F2/4059 ,  A61F2/4081 ,  A61F2/4241 ,  A61F2/4261 ,  A61F2002/30253 ,  A61F2002/30301 ,  A61F2002/30626 ,  A61F2002/30649 ,  A61F2002/30685 ,  A61F2002/30878 ,  A61F2002/30892 ,  A61F2002/30925 ,  A61F2002/30957 ,  A61F2002/3611 ,  A61F2002/4018 ,  A61F2002/4258 ,  A61F2002/4271 ,  A61F2002/4631 ,  A61F2230/0076 ,  A61F2230/0095 ,  A61F2310/00269 ,  A61F2310/00281 ,  A61F2310/00574 ,  A61F2310/0058 ,  A61F2310/00586 ,  A61L27/303 ,  B01J3/065 ,  B01J21/18 ,  B01J27/22 ,  B01J37/24 ,  B01J2203/0655 ,  C04B35/62884 ,  C04B35/62897 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5001 ,  C04B41/5002 ,  C04B41/5346 ,  C04B41/85 ,  C04B41/91 ,  C04B2111/00353 ,  C04B2111/0081 ,  C04B2111/00836 ,  C04B2111/94 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  F16C11/0619 ,  F16C33/043 ,  F16C33/16 ,  F16C33/30 ,  C04B41/4519 ,  C04B41/4556 ,  C04B35/565

Abstract: A process for the synthesis of carbon coatings on the surface of metal carbides, preferably SiC, by etching in a halogen-containing gaseous etchant, and optionally hydrogen gas, leading to the formation of a carbon layer on the metal carbide. The reaction is performed in gas mixtures containing about 0 % (trace) amounts to 100 % halogen-containing gaseous etchant, e.g., Cl2, and about 0 % to 99.9 % H2 (hydrogen gas) at temperatures from about 100 DEG C to about 4,000 DEG C, preferably about 800 DEG C to about 1,200 DEG C, over any time range, maintaining a pressure of preferably about one atmosphere, to about 100 atmospheres.

Abstract translation: 通过在含卤素的气体蚀刻剂和任选的氢气中蚀刻，在金属碳化物，优选SiC的表面上合成碳涂层的方法，导致在金属碳化物上形成碳层。 反应在含有约0％（痕量）至100％含卤素气体蚀刻剂（例如Cl 2）和约0％至99.9％H 2（氢气）的气体混合物中进行，温度为约100℃至约4,000℃ ℃，优选约800℃至约1200℃，在任何时间范围内，保持优选约一个大气压至约100个大气压。

公开(公告)号：AU1327101A

公开(公告)日：2001-03-26

申请号：AU1327101

申请日：2000-08-24

Applicant: UNIV ILLINOIS

Inventor： MCNALLAN MICHAEL J ,  ERSOY DANIEL ,  GOGOTSI YURY

IPC: A61F2/00 ,  A61F2/30 ,  A61F2/32 ,  A61F2/34 ,  A61F2/36 ,  A61F2/38 ,  A61F2/40 ,  A61F2/42 ,  A61F2/46 ,  A61L27/30 ,  B01J3/06 ,  B01J21/18 ,  B01J27/22 ,  B01J37/24 ,  C04B35/628 ,  C04B41/50 ,  C04B41/53 ,  C04B41/85 ,  C04B41/91 ,  F16C11/06 ,  F16C33/04 ,  F16C33/16 ,  F16C33/30 ,  A61L27/10 ,  H01L21/306

公开(公告)号：DE60011663T2

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：DE60011663

申请日：2000-08-24

Applicant: UNIV ILLINOIS

Inventor： MCNALLAN J ,  ERSOY DANIEL ,  GOGOTSI YURY

IPC: A61F2/00 ,  A61F2/30 ,  A61F2/32 ,  A61F2/34 ,  A61F2/36 ,  A61F2/38 ,  A61F2/40 ,  A61F2/42 ,  A61F2/46 ,  A61L27/30 ,  B01J3/06 ,  B01J21/18 ,  B01J27/22 ,  B01J37/24 ,  C04B35/628 ,  C04B41/50 ,  C04B41/53 ,  C04B41/85 ,  C04B41/91 ,  F16C11/06 ,  F16C33/04 ,  F16C33/16 ,  F16C33/30

公开(公告)号：ES2223608T3

公开(公告)日：2005-03-01

申请号：ES00975189

申请日：2000-08-24

Applicant: UNIV ILLINOIS

Inventor： MCNALLAN MICHAEL J ,  ERSOY DANIEL ,  GOGOTSI YURY

IPC: A61F2/00 ,  A61F2/30 ,  A61F2/32 ,  A61F2/34 ,  A61F2/36 ,  A61F2/38 ,  A61F2/40 ,  A61F2/42 ,  A61F2/46 ,  A61L27/30 ,  B01J3/06 ,  B01J21/18 ,  B01J27/22 ,  B01J37/24 ,  C04B35/628 ,  C04B41/50 ,  C04B41/53 ,  C04B41/85 ,  C04B41/91 ,  F16C11/06 ,  F16C33/04 ,  F16C33/16 ,  F16C33/30

Abstract: Rodamiento dispuesto como parte de un dispositivo mecánico, incluyendo dicho dispositivo mecánico una parte sólida en contacto de fricción con dicho rodamiento, de manera que hay un movimiento relativo entre dicha parte sólida y dicho rodamiento cuando se acciona el dispositivo mecánico, en el que el rodamiento está formado a partir de un carburo metálico que se empobrece metálicamente en la superficie del rodamiento para proporcionar una capa superficial de carbono, comprendiendo la capa superficial de carbono una subcapa de carbono interna que tiene una relación de intensidad pico Raman de 1D/1G de 0, 8 a 1, 20, y una subcapa de carbono externa más grafitizada.

公开(公告)号：DE60011663D1

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：DE60011663

申请日：2000-08-24

Applicant: UNIV ILLINOIS

Inventor： MCNALLAN J ,  ERSOY DANIEL ,  GOGOTSI YURY

IPC: A61F2/00 ,  A61F2/30 ,  A61F2/32 ,  A61F2/34 ,  A61F2/36 ,  A61F2/38 ,  A61F2/40 ,  A61F2/42 ,  A61F2/46 ,  A61L27/30 ,  B01J3/06 ,  B01J21/18 ,  B01J27/22 ,  B01J37/24 ,  C04B35/628 ,  C04B41/50 ,  C04B41/53 ,  C04B41/85 ,  C04B41/91 ,  F16C11/06 ,  F16C33/04 ,  F16C33/16 ,  F16C33/30

公开(公告)号：AT269282T

公开(公告)日：2004-07-15

申请号：AT00975189

申请日：2000-08-24

Applicant: UNIV ILLINOIS

Inventor： MCNALLAN MICHAEL J ,  ERSOY DANIEL ,  GOGOTSI YURY

IPC: A61F2/00 ,  A61F2/30 ,  A61F2/32 ,  A61F2/34 ,  A61F2/36 ,  A61F2/38 ,  A61F2/40 ,  A61F2/42 ,  A61F2/46 ,  A61L27/30 ,  B01J3/06 ,  B01J21/18 ,  B01J27/22 ,  B01J37/24 ,  C04B35/628 ,  C04B41/50 ,  C04B41/53 ,  C04B41/85 ,  C04B41/91 ,  F16C11/06 ,  F16C33/04 ,  F16C33/16 ,  F16C33/30

公开(公告)号：AU2002309542A1

公开(公告)日：2002-11-05

申请号：AU2002309542

申请日：2002-04-04

Applicant: UNIV ILLINOIS

Inventor： MCNALLAN MICHAEL J ,  WELZ SASCHA ,  GOGOTSI YURY ,  ERSOY DANIEL

IPC: A61F2/00 ,  A61F2/30 ,  A61F2/32 ,  A61F2/34 ,  A61F2/36 ,  A61F2/38 ,  A61F2/40 ,  A61F2/42 ,  A61F2/46 ,  A61L27/30 ,  B01J3/06 ,  B01J21/18 ,  B01J27/22 ,  B01J37/24 ,  C04B35/628 ,  C04B41/50 ,  C04B41/53 ,  C04B41/85 ,  C04B41/91 ,  C23F1/00 ,  F16C11/06 ,  F16C33/04 ,  F16C33/16 ,  F16C33/30

Abstract: A process for the synthesis of carbon coatings on the surface of metal carbides, preferably SiC, by etching in a halogen-containing gaseous etchant, and optionally hydrogen gas, leading to the formation of a carbon layer on the metal carbide. The reaction is performed in gas mixtures containing 0 to two moles of hydrogen for every two moles of halogen gas, preferably about 0.5 to one mole of hydrogen gas for eery two moles of halogen gas, at temperatures from about 100° C. to about 4,000° C., preferably about 800° C. to about 1,000° C., over any time range, maintaining a pressure of preferably about one atmosphere.