公开(公告)号：EP0194216B1

公开(公告)日：1989-01-11

申请号：EP86420059.7

申请日：1986-02-24

Applicant: XERAM

Inventor： Dubuisson, Jacques ,  Boutterin, René

IPC: H01L23/46

CPC classification number: H05K1/0272 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/064 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24562 ,  Y10T428/24744 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP0145599A2

公开(公告)日：1985-06-19

申请号：EP84402530.4

申请日：1984-12-07

Applicant: EUROFARAD EFD ,  XERAM

Inventor： Dubuisson, Jacques ,  le Gal, Pascal ,  Boutterin, René

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/48 ,  C04B35/10

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L23/15 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  Y10S428/901 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49163 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: Le substrat est formé d'un empilement de feuilles de matériau diélectrique (10) dont certaines au moins portent des motifs conducteurs (21-24); ce substrat présente des émergences conductrices (31, 32) pour assurer la liaison aux bornes du composant (1), avec au moins une couche interne pourvue de pistes conductrices (24) assurant l'interconnexion de couche à couche et avec les émergences selon un schéma préétabli.
Selon l'invention, la composition du matériau diélectrique comprend 92 à 98% d'alumine, de préférence 96%, et un agent fondant à base de titanate de magnésie permettant d'abaisser la température maximale de cuisson à 1400°C environ; les motifs conducteurs sont réalisés en un métal non oxydable et non fusible à haute température, tel que le palladium ou un alliage argent-palladium.
Les propriétés du substrat ainsi obtenu sont comparables à celles de l'alumine ultra-pure à 99,9%.
L'invention s'applique également à des supports de puce à plusieurs niveaux réalisés dans ce matériau.

公开(公告)号：EP0214916B1

公开(公告)日：1992-09-30

申请号：EP86420188.4

申请日：1986-07-11

Applicant: XERAM

Inventor： Dubuisson, Jacques

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/15 ,  H01L21/4807 ,  H01L21/4867 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4061 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP0194216A1

公开(公告)日：1986-09-10

申请号：EP86420059.7

申请日：1986-02-24

Applicant: XERAM

Inventor： Dubuisson, Jacques ,  Boutterin, René

IPC: H01L23/46

CPC classification number: H05K1/0272 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/064 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24562 ,  Y10T428/24744 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention concerne un substrat monolithique pour composant électronique de puissance, formé d'un empilement fritté de couches de matériau diélectrique (41,52), caractérisé en ce qu'il comporte un réseau interne de canaux pour la circulation d'un fluide de refroidissement, ce réseau étant un réseau fermé débouchant en surface du substrat par deux orifices permettant respectivement l'admission du fluide (26) sous pression dans le réseau interne de canaux et son prélèvement hors de ce réseau.

公开(公告)号：EP0145599B1

公开(公告)日：1988-04-06

申请号：EP84402530.4

申请日：1984-12-07

Applicant: EUROFARAD EFD ,  XERAM

Inventor： Dubuisson, Jacques ,  le Gal, Pascal ,  Boutterin, René

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/48 ,  C04B35/10

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L23/15 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  Y10S428/901 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49163 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP0214916A1

公开(公告)日：1987-03-18

申请号：EP86420188.4

申请日：1986-07-11

Applicant: XERAM

Inventor： Dubuisson, Jacques

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/15 ,  H01L21/4807 ,  H01L21/4867 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4061 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00

Abstract: Selon l'invention, le diélectrique du substrat est une céramique de type cordiérite, dont la constante diélectrique relative très faible permet une utilisation en hyperfréquence.
Dans un premier mode de mise en oeuvre, le diélectrique est préparé à partir d'une poudre frittant à environ 980°, permettant l'emploi d'argent (dans le cas d'un frittage en atmosphère oxydante) ou de cuivre (dans le cas d'un frittage en atmosphère réductrice) pour les motifs conducteurs assurant les interconnexions.
Dans un second mode de mise en oeuvre, la cordiérite fritte à environ 1350°; les métallisations sont alors à base de palladium (dans le cas d'une atmosphère oxydante) ou de molybdène ou de tungstène (dans le cas d'une atmosphère réductrice.