等离子膜沉积方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102268645B

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201110157541.1

    申请日:2011-05-31

    Inventor: 万谷俊一

    CPC classification number: B05D3/142 B05D1/34 B05D1/36

    Abstract: 本发明提供一种等离子膜沉积方法。等离子喷嘴(14)供应等离子化放电气体,被置于等离子喷嘴(14)与基底构件(10)之间的流量调节器(12)中的第一供应部分(22)供应第一液相原料。与第一供应部分(22)分开的第二供应部分(20)供应第二液相原料。通过等离子化放电气体被活化且在处于液相的同时沉积在基底构件(10)上的第一液相原料与通过等离子化放电气体被活化的第二液相原料相互作用,并且在基底构件(10)上凝固成膜。

    表面处理方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102218832A

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:CN201110065538.7

    申请日:2011-03-11

    Inventor: 梅森谦一

    Abstract: 本发明公开了一种表面处理方法,所述表面处理方法能够通过当使用常压等离子体对聚酯基板的表面进行表面处理时防止低聚物随着从表面处理起的时间的推移渗出到基板表面上来连续并且有效地执行可以提高基板与功能层之间的粘附力的高质量表面处理。该方法包括以下步骤:用于通过常压等离子体对基板的表面进行处理的常压等离子体步骤;和用于在常压等离子体步骤之前将基板的表面加热到超过玻璃化转变温度Tg的温度的加热步骤。

Patent Agency Ranking