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公开(公告)号：CN111477527B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202010287813.9
申请日：2020-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种功率器件，包括至少一个真空封装的单元结构；其中，所述单元结构包括：硅衬底以及形成于所述硅衬底上的发射极、光调制极和集电极。一方面，由于整个器件采用统一的硅基工艺制备，解决传统冷阴极场发射的发射极在工艺制备过程中的不一致性的问题，提高器件内部精度和一致性，增强器件的可靠性；另一方面，基于硅基工艺引入了形成在所述硅衬底上的光调制极，增强了发射极的场发射效率，抵消发射极不均匀性造成的发射极尖端与集电极间距的不一致性，增加冷阴极发射电极的工艺冗余度，使得器件不需要完全依靠场发射原理来产生电子，降低场发射的负荷，进一步增强器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN111477527A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010287813.9
申请日：2020-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种功率器件，包括至少一个真空封装的单元结构；其中，所述单元结构包括：硅衬底以及形成于所述硅衬底上的发射极、光调制极和集电极。一方面，由于整个器件采用统一的硅基工艺制备，解决传统冷阴极场发射的发射极在工艺制备过程中的不一致性的问题，提高器件内部精度和一致性，增强器件的可靠性；另一方面，基于硅基工艺引入了形成在所述硅衬底上的光调制极，增强了发射极的场发射效率，抵消发射极不均匀性造成的发射极尖端与集电极间距的不一致性，增加冷阴极发射电极的工艺冗余度，使得器件不需要完全依靠场发射原理来产生电子，降低场发射的负荷，进一步增强器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN118315248A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410237350.3
申请日：2024-03-01
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及真空微纳电子源的技术领域，更具体地，涉及一种可调控供应电流的电子源结构，包括衬底、第一绝缘层、第一电极、第二绝缘层、第二电极，所述衬底为P型掺杂半导体，所述第一电极和所述第二电极开设有存在空间重叠区域的微孔，所述衬底上设有发射体，所述发射体容纳置于所述微孔内；利用第一电极电位调控衬底表面载流子类型、浓度及耗尽层宽度，从而调控衬底可向发射体供应的电子电流；利用第二电极电位诱导电子从发射体顶端隧穿进入真空；该结构中第一电极与第二电极垂直构筑，集成度高，结构简单，工艺成熟，第一电极能够屏蔽第二电极对衬底表面载流子的作用，提升第一电极对供应电流调控能力稳定性，提供可低压调控的稳定发射电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2017033797A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015153590
申请日：2015-08-03
Applicant: 株式会社ノリタケカンパニーリミテド , ノリタケ伊勢電子株式会社
Abstract: 【課題】安価で入手しやすい蛍光表示管に近い構造の真空管において、特性を安定にする。 【解決手段】本発明の真空管は、フィラメント、アノード、グリッド、帯電防止電極を備える。フィラメントは、直線状に張られ熱電子を放出する。アノードは、フィラメントと平行に配置された絶縁体の基板上に形成されている。グリッドは、フィラメントとアノードの間にアノードと対向するように配置されたメッシュ部と、メッシュ部の周囲に存在するフレーム部を有する。帯電防止電極は、基板上の少なくともメッシュ部と対向する部分の一部に、アノードとは絶縁されるように形成されている。また、帯電防止電極はグランドもしくは正電位の直流電圧源に接続される。 【選択図】図8
Abstract translation: 公开的是接近容易以低成本获得的荧光显示管结构的真空管，以稳定的特性。 本发明的真空管包括灯丝，阳极，栅极，抗静电电极。 长丝被拉伸在一条直线上以发射热电子。 形成长丝的基板上的阳极和设置平行于绝缘体。 网格具有布置成阳极的灯丝和阳极，现有围绕网格部框架部分之间面临的一个网孔部分。 抗静电电极至少在基板上的网孔部分面对部分的一部分，并且被形成为从阳极绝缘。 此外，该抗静电电极被连接到接地电位或正电位的直流电压源。 点域8
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公开(公告)号：CN211743090U
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202020537935.4
申请日：2020-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种功率器件，包括至少一个真空封装的单元结构；其中，所述单元结构包括：硅衬底以及形成于所述硅衬底上的发射极、光调制极和集电极。一方面，由于整个器件采用统一的硅基工艺制备，解决传统冷阴极场发射的发射极在工艺制备过程中的不一致性的问题，提高器件内部精度和一致性，增强器件的可靠性；另一方面，基于硅基工艺引入了形成在所述硅衬底上的光调制极，增强了发射极的场发射效率，抵消发射极不均匀性造成的发射极尖端与集电极间距的不一致性，增加冷阴极发射电极的工艺冗余度，使得器件不需要完全依靠场发射原理来产生电子，降低场发射的负荷，进一步增强器件的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212874420U
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202021828580.0
申请日：2020-08-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种收集极，包括具有内腔的绝缘瓷筒，收容固定在所述绝缘瓷筒内腔中的具有内收集极端盖的内收集极，以及固设在绝缘瓷筒外壁上的具有外收集极端盖的外收集极；所述外收集极端盖上包括有贯穿所述外收集极端盖两侧表面的通孔；所述内收集极端盖上包括有贯穿所述内收集极端盖两侧表面的，且与所述通孔对应的开孔；所述收集极还包括有固定于通孔处的至少覆盖部分通孔的测温窗件。本实用新型从微波电真空器件的应用需求出发，利用可测温的测温窗件的引入，完成了器件工作过程中对阴极温度的测量和对阴极状态的监控。
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公开(公告)号：CN2678120Y
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200420002653.5
申请日：2004-01-30
Applicant: 北京普瑞广科科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种场致发射冷阴极阵列的真空高频发射管。包括安装在外壳中的阴极，栅极，帘栅极和阳极；其中阴极为场致发射阴极阵列，该场致发射阴极阵列包括电子源发射体、金属导电层和非导电材料的衬底；发射体为柱形阵列和条形阵列，制作在衬底上的金属导电层与发射体连通，在发射体上方集成栅极；在栅极上方安置帘栅极；发射体、栅极、帘栅极的电极从外壳一端向外引出；外壳另一端用阳极进行封装。本实用新型场致发射真空高频发射管与灯丝式热阴极真空发射管相比，具有如下优点：寿命长，功耗低，调制方式灵活且信噪比高，响应速度快、惰性小，制造成本低。
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