公开(公告)号：KR100129676B1

公开(公告)日：1998-04-06

申请号：KR1019930004822

申请日：1993-03-26

Applicant: 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤

Inventor： 기시노다까오 ,  니시우찌고오이찌 ,  이또오시게오

IPC: H01J3/15

CPC classification number: H01J1/3042 ,  G09G3/22 ,  G09G2300/08 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/319

Abstract: 표시밀도가 높고 FEC와 함께 만든 화로의 특성이 양호하고, 스태틱 구동을 할 수 있는 전계방출형 캐소드를 제공한다. Si단결정기판(1) 사에는 각 복수개이 제어선(3)과 데이타선(5)이 매트릭스를 구성하고 있고, 복수의 요소영역(6)이 형성되어 있다. 각 요소영역(6) 내에 있어서 Si단결정기판 (1) 상에는 회로요소(7)가 형성되고 그위에는 전계방출부(8)가 적층하여 형성되어 있다. 회로요수(7)는 데이타선(5)에 드레인이 접속되고 제어선(3)에 게이트가 접속된 스위칭소자인 트랜지스터(Tr
1 )와, 입력신호의 기억회로인 캐패시터(Cs)와, 전계방출부(8)에 입력신호를 증폭하여 부여하는 트랜지스터(Tr
2 )를 갖고 있다.
Si단결정기판(1) 위에 만들어지는 회로요소(7)의 특성은 양호하고 전계방출부(8)는 그 위에 적층하므로 밀도가 높아진다. 또 회로요소(7)는 캐피시터 Cs를 갖고 있으므로 스태틱 구동이 가능하다.

公开(公告)号：KR1019930020513A

公开(公告)日：1993-10-20

申请号：KR1019930004822

申请日：1993-03-26

Applicant: 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤

Inventor： 기시노다까오 ,  니시우찌고오이찌 ,  이또오시게오

IPC: H01J3/15

Abstract: 표시밀도가 높고 FEC와 함께 만든 회로의 특성이 양호하고, 스태틱 구동할 수 있는 전계방출형 캐소드를 제공한다.
Si단결정기판(1) 상에는 각 복수개의 제어선(3)과 데이타선(5)이 매트릭스를 구성하고 있고, 복수의 요소영역(6)이 형성되어 있다.
각 요소영역(6)내에 있어서 Si단결정기판(1) 상에는 회로요소(7)가 형성되고 그위에는 전계방출부(8)가 적층하여 형성되어 있다.회로요소(7)는 데이타선(5)에 드레인이 접속되고 제어선(3)에 게이트가 접속된 스위칭소자인 트랜지스터
와, 입력신호의 기억회로인 캐패시터
와, 전계방출부(8)에 입력신호를 증폭하여 부여하는 트랜지스터
를 갖고 있다. Si단결정기판(1)위에 만들어지는 회로요소(7)의 특성은 양호하고 전계방출부(8)는 그위에 적층하므로 밀도가 높아진다.
또 회로요소(7)는 캐패시터
를 갖고 있으므로 스태틱 구동이 가능하다.