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发明公开
发光二极管装置审中-公开

公开(公告)号：CN110571324A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910445307.5

申请日：2019-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东国 , 李大荣 , 金文燮 , 安成真 , 李承桓 , 任桐均 , 张牛锡

IPC: H01L33/50 , H01L33/44 , H01L33/52

Abstract: 提供一种发光二极管装置。该发光二极管装置包括波长转换层、发光二极管层、光透射层和护套层。波长转换层具有第一折射率。发光二极管层包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构。光透射层设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并具有第二折射率。护套层设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第二折射率的第三折射率。

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