公开(公告)号：CN1649112A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410099749.2

申请日：2004-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼炷 ,  具滋钦 ,  宣敏喆 ,  卢官种

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

Abstract: 提供了镍－自对准硅化物工艺和利用该工艺的制造半导体器件的方法。镍－自对准硅化物工艺包括制备具有硅区和包含硅的绝缘区的衬底。镍沉积在衬底上，并且在300℃至380℃的第一温度下退火镍以在硅区上选择性地形成单镍单硅化物层，并且在绝缘区上仅剩下未反应的镍层。选择性地除去未反应的镍层以暴露绝缘区，并同时在硅区上仅剩下单镍单硅化物层。随后，在比第一温度高的第二温度下对单镍单硅化物层进行退火，从而在没有单镍单硅化物层相变的情况下形成热稳定的单镍单硅化物层。

公开(公告)号：CN1329967C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200410099749.2

申请日：2004-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼炷 ,  具滋钦 ,  宣敏喆 ,  卢官种

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

Abstract: 提供了镍-自对准硅化物工艺和利用该工艺的制造半导体器件的方法。镍-自对准硅化物工艺包括制备具有硅区和包含硅的绝缘区的衬底。镍沉积在衬底上，并且在300℃至380℃的第一温度下退火镍以在硅区上选择性地形成单镍单硅化物层，并且在绝缘区上仅剩下未反应的镍层。选择性地除去未反应的镍层以暴露绝缘区，并同时在硅区上仅剩下单镍单硅化物层。随后，在比第一温度高的第二温度下对单镍单硅化物层进行退火，从而在没有单镍单硅化物层相变的情况下形成热稳定的单镍单硅化物层。