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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120035226A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411040464.5
申请日：2024-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：第一焊盘，被配置为接收和发送信号；第二焊盘，被输入预定参考电压；以及静电保护电路，包括电连接到第二焊盘并且掺杂有第一导电类型杂质的发射极区域、具有在第一方向和第二方向上围绕发射极区域的形状并且掺杂有与第一导电类型杂质不同的第二导电类型杂质的基极区域、连接到第一焊盘并且具有在第一方向和第二方向上围绕发射极区域的形状的集电极区域、以及设置在集电极区域和基极区域之间并且通过元件隔离膜与集电极区域和基极区域分离的杂质区域。
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公开(公告)号：CN118431223A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202311473712.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：第一电力垫；第二电力垫；信号垫；钳位电路，连接在第一电力垫与第二电力垫之间；驱动电路，连接到信号垫并且包括上拉电路和下拉电路；以及第一栅极关断电路，连接到下拉电路。第一栅极关断电路被构造为在高电压被施加到信号垫的静电放电(ESD)事件期间将下拉电路的栅极和下拉电路的源极彼此连接，并且控制由高电压生成的电流流到钳位电路。
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公开(公告)号：CN118645503A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202311603983.3
申请日：2023-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种静电放电保护器件，所述静电放电保护器件包括：衬底、具有第一导电类型的第一阱和包围所述第一阱的第二阱、形成在所述第一阱上的第一扩散区至第五扩散区以及形成在所述第二阱上的第六扩散区和第七扩散区。所述第二扩散区包围所述第一扩散区，所述第四扩散区包围所述第三扩散区，并且所述第五扩散区包围所述第二扩散区和所述第四扩散区中的每一者。所述第六扩散区包围所述第五扩散区，并且所述第七扩散区包围所述第六扩散区。所述第六扩散区和所述第七扩散区连接到阳极电极，并且所述第一扩散区至所述第五扩散区连接到阴极电极。
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公开(公告)号：CN117790496A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310848337.7
申请日：2023-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种静电放电保护器件，包括：衬底，包括具有第一导电类型的第一阱和具有第二导电类型的第二阱；以及第一扩散区至第八扩散区，形成在第一阱和第二阱上。扩散区中形成在第一阱中的至少一部分连接到第一电极，扩散区中形成在第二阱中的至少一部分连接到第二电极。扩散区中形成在第一阱中的一个扩散区与N阱之间的结点形成触发二极管。扩散区中形成在第二阱中的一个扩散区与P阱之间的结点形成触发二极管。触发二极管彼此电连接。
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公开(公告)号：CN119069472A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410540229.8
申请日：2024-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。示例半导体装置包括：通过第一器件隔离膜彼此隔离的第一阱区域和第二阱区域；NPN晶体管，其由第一集电极区域和第一发射极区域提供，第一集电极区域形成在第一阱区域中并且包括第一导电类型的杂质，第一发射极区域形成在第二阱区域中并且包括第一导电类型的杂质；PNP晶体管，其由第二发射极区域和第二集电极区域提供，第二发射极区域形成在第一阱区域中并且包括与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质，第二集电极区域形成在第二阱区域中并且包括第二导电类型的杂质；以及NMOS晶体管，其包括形成在第二阱区域中并且包括第一导电类型的杂质的源极区域和漏极区域、以及设置在源极区域与漏极区域之间的栅极结构。
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