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发明公开
半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN111200422A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911133967.6

申请日：2019-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐在禹 , 朴基万 , 金夏永 , 辛政桓 , 李根昊 , 赵成伟

IPC: H03K3/3562

Abstract: 公开了一种半导体装置，包括：衬底，其具有在第一方向上彼此相邻的第一区和第二区；以及从第一区朝向第二区延伸的第一栅电极至第三栅电极。第一区和第二区中的每一个包括PMOSFET区和NMOSFET区。第一栅电极至第三栅电极在第一方向上延伸，并在与第一方向不同的第二方向上顺序地布置。第一栅电极和第三栅电极施加有第一信号。第二栅电极施加有作为第一信号的反相信号的第二信号。第一栅电极包括第一区的第一栅极和第二区的第一栅极。第一栅极在第一方向上对准并且彼此连接。

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