公开(公告)号：CN109817604B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201811255818.2

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镒 ,  安正勋 ,  李峻宁

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：基板，包括有源电路区域和围绕有源电路区域的边界区域，边界区域包括基板的边缘部分；第一下部导电图案，设置在边界区域的基板上；以及第一上部导电图案，在第一下部导电图案上方连接到第一下部导电图案，其中，第一上部导电图案包括具有第一厚度的第一部分、具有大于第一厚度的第二厚度的第二部分、以及具有大于第二厚度的第三厚度的第三部分，并且第一上部导电图案的第三部分连接到第一下部导电图案。

公开(公告)号：CN115223992A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210164638.3

申请日：2022-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镒 ,  安正勋 ,  崔允基

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一导电下布线，被设置在第一金属层级并且沿第一方向延伸；第一上布线结构，被连接到所述第一导电下布线并且包括第一导电上布线和第一导电上过孔，其中，所述第一导电上布线被设置在比所述第一金属层级高的第二金属层级并且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸；以及导电插入图案，被设置在所述第一导电下布线与所述第一上布线结构之间并且被连接到所述第一导电上过孔。所述导电插入图案的上表面在所述第一方向上具有第一宽度，并且所述第一导电上过孔的底表面在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN109817604A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811255818.2

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镒 ,  安正勋 ,  李峻宁

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：基板，包括有源电路区域和围绕有源电路区域的边界区域，边界区域包括基板的边缘部分；第一下部导电图案，设置在边界区域的基板上；以及第一上部导电图案，在第一下部导电图案上方连接到第一下部导电图案，其中，第一上部导电图案包括具有第一厚度的第一部分、具有大于第一厚度的第二厚度的第二部分、以及具有大于第二厚度的第三厚度的第三部分，并且第一上部导电图案的第三部分连接到第一下部导电图案。

公开(公告)号：CN106169455A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610339980.7

申请日：2016-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镒 ,  安正勋 ,  金田中 ,  朴哲镛

IPC: H01L23/488

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件可以包括基板、多个第一接触插塞、第一通路和电源轨。基板可以包括第一单元区域和第二单元区域以及电源轨区域。第一单元区域和第二单元区域可以设置在第二方向上，并且电源轨区域可以设置在第一单元区域和第二单元区域之间。该多个第一接触插塞可以形成在基板的电源轨区域上，并可以在交叉第二方向的第一方向上彼此间隔开第一距离。第一通路可以共同地接触该多个第一接触插塞的顶表面。电源轨可以形成在第一通路上。电源轨可以通过第一通路和第一接触插塞向第一单元区域和第二单元区域提供电压。