公开(公告)号：CN110648976B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201910530743.2

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  朴小螺 ,  安正勋

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：衬底，具有第一表面和面对第一表面的第二表面，衬底具有通路孔，通路孔从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；在通路孔中的穿通通路；在衬底的第一表面上的半导体部件；以及内部缓冲结构，与通路孔间隔开并在通路孔与半导体部件之间，内部缓冲结构从衬底的第一表面朝向衬底的内部延伸，内部缓冲结构的顶端在比穿通通路的顶端高的水平处。

公开(公告)号：CN109817604B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201811255818.2

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镒 ,  安正勋 ,  李峻宁

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：基板，包括有源电路区域和围绕有源电路区域的边界区域，边界区域包括基板的边缘部分；第一下部导电图案，设置在边界区域的基板上；以及第一上部导电图案，在第一下部导电图案上方连接到第一下部导电图案，其中，第一上部导电图案包括具有第一厚度的第一部分、具有大于第一厚度的第二厚度的第二部分、以及具有大于第二厚度的第三厚度的第三部分，并且第一上部导电图案的第三部分连接到第一下部导电图案。

公开(公告)号：CN116895609A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310240130.1

申请日：2023-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宝仁 ,  安正勋 ,  崔允基

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装，包括：电路板；中介层结构，在电路板上；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在中介层结构上，该第一半导体芯片和该第二半导体芯片电连接到中介层结构并彼此间隔开；以及模制层，在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，该模制层将第一半导体芯片和第二半导体芯片分离。模制层的侧壁的斜率随着该侧壁远离中介层结构的上侧延伸而保持恒定，并且由模制层的底侧与模制层的侧壁限定的角小于或等于九十度。

公开(公告)号：CN1581476A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055814.1

申请日：2004-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李孝钟 ,  李京泰 ,  李敬雨 ,  李守根 ,  徐锋锡

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76847

Abstract: 一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形，从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层，以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。

公开(公告)号：CN110875275B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN201910491844.3

申请日：2019-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  安正勋

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件。更具体地，提供了包括通过简化工艺来改善静电容量的电容器的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：限定第一沟槽的绝缘结构，所述绝缘结构位于衬底上；位于所述绝缘结构中的第一导电层，所述第一导电层的上表面的第一部分由所述第一沟槽暴露；电容器结构，所述电容器结构包括位于所述第一导电层上的第一电极图案、位于所述第一电极图案上的介电图案和位于所述介电图案上的第二电极图案，所述第一电极图案沿着所述第一沟槽的侧壁和底表面以及所述绝缘结构的上表面延伸；以及位于所述电容器结构上的第一布线图案。

公开(公告)号：CN116093053A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211389731.0

申请日：2022-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宝仁 ,  安正勋

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 一种中介结构包括：中介基板；中介贯通电极，在垂直方向上穿透中介基板；再分布结构，在中介基板上并包括连接到中介贯通电极的再分布图案以及在中介基板上在再分布图案的侧表面上的再分布绝缘层；导电柱，在再分布结构上并连接到再分布图案；以及中介绝缘层，在再分布结构上在导电柱的侧表面上。

公开(公告)号：CN114975358A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202111587859.3

申请日：2021-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  安正勋 ,  崔允基

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，包括逻辑单元区和连接区；在连接区上的虚设晶体管；在虚设晶体管上的中间连接层，中间连接层包括电连接到虚设晶体管的连接图案；在中间连接层上的第一金属层；在中间连接层和一部分第一金属层之间的蚀刻停止层，蚀刻停止层覆盖连接图案的顶表面；以及穿透接触，从第一金属层朝衬底的底表面延伸并穿透连接区。

公开(公告)号：CN106169439B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201610329900.X

申请日：2016-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金田中 ,  金永培 ,  金钟三 ,  朴镇亨 ,  安正勋 ,  吴赫祥 ,  李敬雨 ,  李孝善 ,  张淑禧

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提供了布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件。一种布线结构包括：基板；下绝缘层，在基板上；下布线，在下绝缘层中；第一蚀刻停止层，覆盖下布线并包括含金属的电介质材料；以及第二蚀刻停止层，在第一蚀刻停止层和下绝缘层上；绝缘夹层，在第二蚀刻停止层上；以及导电图案，延伸穿过绝缘夹层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下布线。

公开(公告)号：CN111883510A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010294116.6

申请日：2020-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴桭胡 ,  丁少锋 ,  方镛胜 ,  安正勋

IPC: H01L23/525 ,  H01L49/02

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板；第一电极，包括第一孔；第一电介质层，在第一电极的上表面上和在第一孔的内表面上；第二电极，在第一电介质层上；第二电介质层，在第二电极上；第三电极，在第二电介质层上并包括第二孔；以及第一接触插塞，延伸穿过第二电极和第二电介质层并延伸穿过第一孔和第二孔。第一接触插塞的侧壁脱离与第一孔的侧壁和第二孔的侧壁的直接接触，并具有与第二电极的上表面相邻定位的台阶部分。

公开(公告)号：CN1507055A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310118109.7

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李京泰 ,  郑武京 ,  李庸俊

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路电容器，其容量大并且在制造该电容器时不会出现影响现有技术的问题。该电容器包括上电极、下电极和位于上电极和下电极之间的介质层。对上电极施加第一电压和对下电极施加不同于第一电压的第二电压。一布线层位于与下电极相同或更低的层次中，通过该布线层对上电极施加第一电压。