公开(公告)号：CN102800693A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210165160.2

申请日：2012-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志永 ,  吴容哲 ,  禹东秀 ,  郑铉雨 ,  秦教英 ,  崔成菅 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L23/488 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: G11C11/4096 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4085 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7831

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在该半导体器件中由两个子栅独立地控制一个沟道区以抑制泄漏电流的产生。

公开(公告)号：CN101807575A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200910265299.2

申请日：2009-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹在万 ,  秦教英 ,  洪亨善 ,  吉田诚 ,  金奉秀

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了包括接触塞的半导体器件及相关方法。半导体器件包括半导体层，该半导体层包括第一区域和第二区域；第一接触塞，该第一接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第一区域；第二接触塞，该第二接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第二区域；导电层，该导电层电气地连接至第一接触塞，该导电层具有侧面和底面；以及绝缘层，该绝缘层布置在导电层和第二接触塞之间以便于绝缘导电层和第二接触塞，该绝缘层面对导电层的底面的一部分和侧面。

公开(公告)号：CN100499074C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN03136040.8

申请日：2003-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张世明 ,  秦教英 ,  吴容哲 ,  金炫昌

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41783 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 具有侧壁的栅形成在集成电路衬底上。在栅的侧壁上形成阻挡层间隔。阻挡层间隔的一部分从栅的侧壁突出，露出面向集成电路衬底的阻挡层间隔的下表面。在从栅的侧壁突出的阻挡层间隔的所述部分上形成硅化物层。也提供了相关的装置。

公开(公告)号：CN103377905A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310148163.X

申请日：2013-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  黄有商 ,  金雅煐 ,  李艺路 ,  秦教英 ,  洪亨善

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42312 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括：在衬底中形成第一和第二平行场区，平行场区沿第一方向延伸；分别在衬底中形成的第一和第二栅沟槽中形成第一和第二栅盖层；部分地去除栅盖层，使得第一焊盘孔被扩大以与掩埋在衬底中的栅盖层部分地交迭；在第一空间形成焊盘材料层；和通过平坦化焊盘材料层到盖层的上表面的水平，形成位线接触焊盘。

公开(公告)号：CN1866523A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610084784.6

申请日：2006-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李盛三 ,  秦教英 ,  金允基

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 在一个实施例中，半导体器件具有由在STI沟槽内形成的隔离层所限定的有源区，该STI沟槽包括上沟槽和下沟槽，下沟槽在上沟槽之下，具有基本上弧形截面形状，使得下沟槽与上沟槽连通。由于上沟槽具有正斜率的锥形侧壁，当使用绝缘层填充上沟槽时，可以获得良好的间隙填充性能。通过在下沟槽中形成空间，在隔离层的底的介电常数小于在氧化物层的介电常数，由此改善隔离性能。隔离层包括仅在上沟槽内形成并以隔片形式覆盖上沟槽内壁的第一绝缘层。

公开(公告)号：CN1277300C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN01139698.9

申请日：2001-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴容哲 ,  秦教英

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823481

Abstract: 一种集成电路衬底包括彼此隔开的第一和第二相邻p型掺杂区。集成电路衬底中的沟槽位于第一和第二相邻p型掺杂区之间。沟槽中的绝缘层具有侧壁，其特征在于，侧壁没有减少集成电路衬底和绝缘层之间的应力的层。

公开(公告)号：CN104037125B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201410076999.8

申请日：2014-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志永 ,  金大益 ,  金冈昱 ,  金那罗 ,  朴济民 ,  李圭现 ,  郑铉雨 ,  秦教英 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544 ,  H01L27/146 ,  H01L23/48 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板；形成穿过半导体基板的一部分并从第一表面朝向第二表面延伸的对准标记和连接接触；在半导体基板的第一表面上形成第一电路使得第一电路电连接到连接接触；使半导体基板的第二表面凹陷以形成暴露对准标记和连接接触的第三表面；以及在半导体基板的第三表面上形成第二电路使得第二电路电连接到连接接触。

公开(公告)号：CN102800693B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201210165160.2

申请日：2012-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志永 ,  吴容哲 ,  禹东秀 ,  郑铉雨 ,  秦教英 ,  崔成菅 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L23/488 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: G11C11/4096 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4085 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7831

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在该半导体器件中由两个子栅独立地控制一个沟道区以抑制泄漏电流的产生。

公开(公告)号：CN1359145A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01139698.9

申请日：2001-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴容哲 ,  秦教英

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823481

Abstract: 一种集成电路衬底包括彼此隔开的第一和第二相邻p型掺杂区。集成电路衬底中的沟槽位于第一和第二相邻p型掺杂区之间。沟槽中的绝缘层具有侧壁,其特征在于,侧壁没有减少集成电路衬底和绝缘层之间的应力的层。

公开(公告)号：CN103377905B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201310148163.X

申请日：2013-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  黄有商 ,  金雅煐 ,  李艺路 ,  秦教英 ,  洪亨善

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42312 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括：在衬底中形成第一和第二平行场区，平行场区沿第一方向延伸；分别在衬底中形成的第一和第二栅沟槽中形成第一和第二栅盖层；部分地去除栅盖层，使得第一焊盘孔被扩大以与掩埋在衬底中的栅盖层部分地交迭；在第一空间形成焊盘材料层；和通过平坦化焊盘材料层到盖层的上表面的水平，形成位线接触焊盘。