公开(公告)号：CN1655366A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510008029.5

申请日：2005-02-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔圭焕

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 一种具有LDD结构的薄膜晶体管，其可以改善其沟道可靠性与输出特性。一半导体层包括源/漏极区域、一位于源/漏极区域之间的沟道区域、以及一位于沟道区域和源/漏极区域之间的LDD区域，其中在半导体层上掺杂的离子的投射范围从LDD区域中的半导体层的表面扩展到第一深度。

公开(公告)号：CN1420536A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02152723.7

申请日：2002-11-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  俞庚辰 ,  崔圭焕

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，包括：在一个衬底上形成一个半导体层；在该衬底的整个表面上形成一个栅极绝缘层以覆盖半导体层；在栅极绝缘层上沉积一个导电层；在半导体层上形成一个第一光敏图案；根据光敏图案构图导电层以形成栅电极；以及利用光敏图案作为掩膜把杂质离子掺入到半导体层中，形成源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN1204609C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02152723.7

申请日：2002-11-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  俞庚辰 ,  崔圭焕

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，包括：在一个衬底上形成一个半导体层；在该衬底的整个表面上形成一个栅极绝缘层以覆盖半导体层；在栅极绝缘层上沉积一个导电层；在半导体层上形成一个第一光敏图案；根据光敏图案构图导电层以形成栅电极；以及利用光敏图案作为掩膜把杂质离子掺入到半导体层中，形成源极区和漏极区。