公开(公告)号：CN100449773C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200410068283.X

申请日：2004-08-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  姜泰旭

IPC: H01L27/32 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3223 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276

Abstract: 一种有机电致发光显示器包括一个衬底，该衬底具有一个具有像素的阵列部分和一个耦连至外部电源的焊盘部分。在衬底上形成具有个源电极、漏电极和焊盘的半导体结构。在该半导体结构上形成一层具有通孔的钝化层，该通孔露出在阵列部分上的源和漏电极的区域以及在焊盘部分上的焊盘的区域。接触通孔的钝化层部分在阵列部分和焊盘部分之间具有相同的厚度。一层导电层填充该通孔。一层像素限定层形成于一层平整层和导电层的整个表面上，其在所述阵列部分上具有露出导电层的区域的像素区。一个有机电致发光薄膜形成于每个像素区上。本发明通过减小阵列部分和焊盘部分之间的钝化层的厚度差异，防止了源电极和漏电极被蚀刻过度。

公开(公告)号：CN100407252C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200310103663.8

申请日：2003-11-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴商一

IPC: G09F9/33 ,  G09G3/32 ,  H01L21/00 ,  H01L51/40 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明公开了一种具有多个象素的平板显示器。每个单元象素至少有一个第一晶体管和一个第二晶体管，并且第一晶体管的半导体层具有不同于第二晶体管半导体层的迁移率。本发明还公开了一种制造包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管的平板显示器的方法，该方法包括以下步骤：在绝缘基底上形成一非晶硅膜；将所述非晶硅膜晶化为多晶硅膜，该多晶硅膜至少分为具有第一迁移率的第一区和具有第二迁移率的第二区。该方法还包括通过对所述多晶硅膜构图而由具有第一迁移率的区形成所述第一晶体管的半导体层、由具有第二迁移率的区形成所述第二晶体管的半导体层的步骤，其中第一迁移率不同于第二迁移率。

公开(公告)号：CN1329997C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03108621.7

申请日：2003-04-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  申东缵 ,  金慧东 ,  金昌树

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5284 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法，该平板显示器为一种有机电致发光显示器，其中，在与像素电极相同的表面上形成了黑矩阵，该黑矩阵具有透明材料和金属材料的浓度梯度。该有机电致发光显示器的黑矩阵和像素电极仅用一道掩模操作形成。黑矩阵具有以下结构的浓度梯度，该结构即：连续梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分连续减少，而金属材料成分连续增多；阶跃梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分逐步减少，而金属材料成分逐步增多；或者多重梯度结构，其中连续梯度结构和/或阶跃梯度结构是重复的。

公开(公告)号：CN1215567C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN02105819.9

申请日：2002-04-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 苏宇永 ,  俞庚辰 ,  朴商一

IPC: H01L27/15 ,  H01L31/12 ,  H01L21/00 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/32 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的电特性及简化的制造工艺的平板显示器。该显示器包括形成在绝缘衬底上的半导体层；分别直接接触半导体层的两个端部的源电极和漏电极；具有形成在其上的开口部分的像素电极；形成在绝缘衬底上除开口部分以外的其余部分上的第一绝缘层；形成在半导体层之上的部分第一绝缘层上的栅电极；以及形成在半导体层两个端部内的源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN1622337A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410092215.7

申请日：2004-11-03

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜泰旭 ,  朴商一

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/20 ,  H01L21/336 ,  H01L51/40 ,  G09F9/30 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。在该薄膜晶体管及其制造方法中，在衬底的整个表面上，在具有半导体层、栅极、源/漏极区和源/漏电极的薄膜晶体管的源/漏电极上，可依次形成有机平坦化层和无机层。在无机层上形成光致抗蚀剂图案后，可进行蚀刻工艺来覆盖有机平坦化层，以形成将象素电极连接到源/漏电极之一的接触孔或通孔。根据本发明的制造方法，可利用一个掩模形成传统利用两个或多个掩模形成的接触孔或通孔，从而简化工艺，并通过无机层提高与象素电极的粘结性，也提高了封装工艺中的密封粘结性，延长了所得薄膜晶体管的寿命。此薄膜晶体管可以适当地应用于有源矩阵型有机电致发光显示器。

公开(公告)号：CN1592518A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410068249.2

申请日：2004-08-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  具在本 ,  朴商一

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/26 ,  H05B33/08 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3279 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光显示装置，通过利用低阻值金属同时形成反射膜和电源元件而防止电压降和电源元件之间的短路。本发明提供了一种有机电致发光显示装置，包括：形成在绝缘衬底上的栅极线、数据线和电源元件，由栅极线、数据线和电源元件限定的象素区，以及设置在象素区上并包括反射膜和象素电极的象素，其中反射膜与电源元件形成在同一层上。

公开(公告)号：CN1494107A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03158097.1

申请日：2003-08-01

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴志容 ,  朴商一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种结晶方法，包括在一绝缘衬底上形成吸收外部光的黑色基质层，其中该黑色基质层的上部区域包括用于硅结晶的催化剂，构图该黑色基质层，在绝缘衬底和黑色基质层上形成一非晶硅薄膜，对非晶硅薄膜进行热处理以用于结晶。由于形成一连续的金属诱导结晶区域和一金属诱导横向结晶区域而其中没有一明确的界限，因此，使用该结晶方法形成的薄膜晶体管的特性得到改进。

公开(公告)号：CN1266659C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200410032888.3

申请日：2004-04-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴商一 ,  李乙浩 ,  金镇洙 ,  郑镇雄 ,  李昌圭

IPC: G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  G09G3/20 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L27/1222 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3216 ,  H01L27/3218 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78624

Abstract: 公开了一种具有改进的白平衡的平板显示器，通过使每个像素的R、G和B单位像素中驱动晶体管的漏极偏置区的掺杂浓度或偏置区的形状和尺寸有差异而能够增强白平衡。一种平板显示器包括多个像素，每个像素包括R、G和B单位像素以分别体现红(R)、绿(G)和蓝(B)色。每个单位像素包括一个具有源极/漏极区的晶体管。R、G和B单位像素的至少两个单位像素的晶体管具有不同几何结构的漏极区。在每个单位像素中，晶体管中用来驱动具有最高发光效率的发光器件的晶体管的漏极区的电阻值高于用来驱动具有较低发光效率的发光器件的晶体管的漏极区的电阻值。

公开(公告)号：CN1783501A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510137064.7

申请日：2004-01-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴志容 ,  朴商一 ,  金慧东

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L27/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3276

Abstract: 提供一种平板显示器，其中没有条纹出现在屏幕上，从而改善了图像质量。所述平板显示器具有矩阵型的子像素阵列，每个子像素包括驱动薄膜晶体管、由驱动薄膜晶体管驱动的第一电极以及与第一电极一起驱动发光单元的第二电极。驱动薄膜晶体管包括从半导体层中得到的半导体沟道。在半导体层上各异质直线互相分开。连接一列的半导体沟道的虚线与异质直线不平行。

公开(公告)号：CN1629907A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410047195.1

申请日：2004-11-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  具在本

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  G02F1/136 ,  H05B33/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/124

Abstract: 公开的是一种平板显示器，包括一基板；沿预定方向形成在所述基板上的一栅极线；以及与所述栅极线电连接的栅极，该栅极具有与所述栅极线不同的薄层电阻。利用这种结构，只需对工艺做出最小限度的改变，就可以在不增加栅极线厚度的情况下降低所述栅极线的布线电阻。