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公开(公告)号：CN113474289A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080015562.7
申请日：2020-02-19
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/18 , B24B37/00 , C01B33/141 , C01B33/145 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于提供一种研磨特性、保存稳定性优异的二氧化硅粒子。本发明涉及一种二氧化硅粒子，当将表面硅烷醇基的含有率设为x质量％、将总体硅烷醇基的含有率设为y质量％时，由(x/y)×100％表示的存在于表面的硅烷醇基的比例为15％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119503820A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411697538.2
申请日：2020-02-19
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅粒子及其制造方法、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体器件的制造方法。一种二氧化硅粒子，当将利用广角X射线散射测定的d值设为#imgabs0#时，满足下述式(1)，y≥4.2(1)，金属杂质含有率为5ppm以下，在pH6.0以上且7.8以下的条件下实施了加压加热处理。
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公开(公告)号：CN118439623A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410521235.9
申请日：2020-02-19
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/18 , C01B33/14 , C01B33/141 , C01B33/145 , B82Y30/00 , H01L21/304 , H01L21/306 , B24B37/00 , G01N24/08 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅粒子及其制造方法、硅烷醇基的测定方法、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体器件的制造方法。本发明的二氧化硅粒子，当将表面硅烷醇基的含有率设为x质量％、将总体硅烷醇基的含有率设为y质量％时，表面硅烷醇基的含有率x为0.05质量％以上1.4质量％以下，由(x/y)×100％表示的存在于表面的硅烷醇基的比例为1％以上15％以下。
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公开(公告)号：CN102917980A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180012994.3
申请日：2011-03-10
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/023 , C01B33/025
CPC classification number: C01B33/025 , C01B33/023
Abstract: 本发明提供硅的回收或制造方法，该方法以包含碳化硅磨粒和硅的切削屑作为原料，不对其进行分离就能够回收或制造硅。本发明提供硅的回收或制造方法，该方法为由硅锭或硅晶片在切削或磨削时产生的包含碳化硅的切屑来回收或制造硅的方法，该方法包括对该包含碳化硅的切屑和二氧化硅原料进行加热从而制造硅的工序。
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