公开(公告)号：CN113474289A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202080015562.7

申请日：2020-02-19

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 京谷智裕 ,  出岛荣治 ,  住谷直子 ,  加藤友宽 ,  泽井毅

IPC: C01B33/18 ,  B24B37/00 ,  C01B33/141 ,  C01B33/145 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的目的在于提供一种研磨特性、保存稳定性优异的二氧化硅粒子。本发明涉及一种二氧化硅粒子，当将表面硅烷醇基的含有率设为x质量％、将总体硅烷醇基的含有率设为y质量％时，由(x/y)×100％表示的存在于表面的硅烷醇基的比例为15％以下。

公开(公告)号：CN119503820A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411697538.2

申请日：2020-02-19

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 京谷智裕 ,  出岛荣治 ,  住谷直子 ,  加藤友宽 ,  泽井毅

IPC: C01B33/18 ,  C01B33/14 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明提供一种二氧化硅粒子及其制造方法、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体器件的制造方法。一种二氧化硅粒子，当将利用广角X射线散射测定的d值设为#imgabs0#时，满足下述式(1)，y≥4.2(1)，金属杂质含有率为5ppm以下，在pH6.0以上且7.8以下的条件下实施了加压加热处理。

公开(公告)号：CN113454024B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202080014939.7

申请日：2020-02-19

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 京谷智裕 ,  出岛荣治 ,  住谷直子 ,  加藤友宽 ,  泽井毅

IPC: C01B33/18 ,  B24B37/00 ,  C01B33/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的目的在于提供一种研磨特性、保存稳定性优异的二氧化硅粒子。本发明涉及一种二氧化硅粒子，当将利用广角X射线散射测定的d值设为#imgabs0#时，满足式(1)：y≥4.2。

公开(公告)号：CN118439623A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410521235.9

申请日：2020-02-19

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 京谷智裕 ,  出岛荣治 ,  住谷直子 ,  加藤友宽 ,  泽井毅

IPC: C01B33/18 ,  C01B33/14 ,  C01B33/141 ,  C01B33/145 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  B24B37/00 ,  G01N24/08 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供一种二氧化硅粒子及其制造方法、硅烷醇基的测定方法、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体器件的制造方法。本发明的二氧化硅粒子，当将表面硅烷醇基的含有率设为x质量％、将总体硅烷醇基的含有率设为y质量％时，表面硅烷醇基的含有率x为0.05质量％以上1.4质量％以下，由(x/y)×100％表示的存在于表面的硅烷醇基的比例为1％以上15％以下。

公开(公告)号：CN113454024A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202080014939.7

申请日：2020-02-19

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 京谷智裕 ,  出岛荣治 ,  住谷直子 ,  加藤友宽 ,  泽井毅

IPC: C01B33/18 ,  B24B37/00 ,  C01B33/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的目的在于提供一种研磨特性、保存稳定性优异的二氧化硅粒子。本发明涉及一种二氧化硅粒子，当将利用广角X射线散射测定的d值设为时，满足式(1)：y≥4.2。