一种晶圆清洗装置及清洗方法

    公开(公告)号:CN109304318A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201811458538.1

    申请日:2018-11-30

    Inventor: 俞力洋

    Abstract: 本申请提供的晶圆清洗装置,包括:清洗腔、旋转机构、清洗液喷嘴、至少两个晶圆盒驱动装置和至少两个晶圆盒干燥气喷嘴;所述旋转机构,设置在所述清洗腔内,所述旋转机构包括驱动器和旋转盘,所述旋转盘设置在所述驱动器上,所述驱动器驱动所述旋转盘旋转;所述清洗液喷嘴与所述晶圆盒驱动装置均固定设置在所述旋转盘上,所述晶圆盒驱动装置用于驱动晶圆盒自转;所述晶圆盒固定设置在所述晶圆盒驱动装置上。通过在所述旋转盘上设置晶圆盒驱动装置,以驱动所述晶圆盒自转,从而使所述晶圆盒与所述清洗液喷嘴的相对发生改变,这样,所述清洗液喷嘴能够使待清洗晶圆与晶圆盒接触的区域被有效的清洗,使待清洗晶圆清洗均匀,从而提高晶圆的清洗效果。

    一种适用于铜互连工艺的颗粒去除方法

    公开(公告)号:CN109449078A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811408980.3

    申请日:2018-11-23

    Inventor: 俞力洋

    Abstract: 本发明公开了一种适用于铜互连工艺的颗粒去除方法,包括如下步骤:步骤S1,将用于清洗硅片表面颗粒的双流装置置于待清洗硅片的上方位置;步骤S2,分别向双流装置的第一输入口和第二输入口输入氮气和有机溶剂,氮气和有机溶剂在双流装置中混合形成混合溶剂最终通过双流装置的喷射口将混合溶剂喷射在待清洗硅片上;步骤S3,将混合溶剂喷射于待清洗硅片表面的不同位置处,直至完成清洗过程;步骤S4,停止向双流装置输入有机溶剂,仅向双流装置输入氮气,氮气经双流装置的喷射口将待清洗硅片表面吹扫干净,本发明不仅提高了硅片清洗效果,而且解决了现有技术中采用硅片表面颗粒清洗方法容易在集成电路制造中腐蚀金属的缺陷。

    一种降低干燥槽引起的颗粒杂质的装置

    公开(公告)号:CN108682643A

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201810576581.1

    申请日:2018-06-06

    CPC classification number: H01L21/67034

    Abstract: 本发明公开一种降低干燥槽引起的颗粒杂质的装置,干燥槽包括干燥腔与水清洗槽,干燥腔用以晶圆进行干燥工艺;水清洗腔设置于干燥腔的下方,与干燥腔设定预定距离,水清洗槽用以晶圆进行水清洗工艺;挡板可拆卸地设置于干燥腔与水清洗槽之间,用以隔离上方干燥腔和下方水清洗槽;搁置槽设置于干燥槽的一侧,且开设开口以连通干燥槽,挡板放置于搁置槽内搁置;搁置槽的上方设置水管与氮气管;搁置槽的下方设置与水管和氮气管对应的排水管与排气管。有益效果在于:在搁置槽的上方增加水管和氮气管,在搁置槽的下方增加排水管和排气管,对挡板进行清洗,有效改善挡板引起的颗粒杂质的问题,提高晶圆的清洗工艺。

    清洗装置及半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN219696420U

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202320698685.6

    申请日:2023-03-31

    Inventor: 俞力洋

    Abstract: 本实用新型提供的清洗装置及半导体工艺设备,所述清洗装置包括:清洗槽;晶圆承载部件,设置于所述清洗槽的内部,所述晶圆承载部件包括至少两个支撑杆和至少一个固定板,所述至少两个支撑杆的至少一端设置有所述固定板,所有所述支撑杆相互平行,且所有所述支撑杆上均设置有多个卡槽。本实用新型的技术方案能够有效提高晶圆的清洗效率和后续的工艺效率。

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