公开(公告)号：CN107331613A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710494811.5

申请日：2017-06-26

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 仓凌盛

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/31105 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提出一种磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，包括下列步骤：搜集每批硅片上需要控制的氧化膜厚度；在产品开始处理前抓取实时磷酸中的硅浓度；根据预设的对应关系计算得到氧化膜预设腐蚀速率；使用前层厚度、预设腐蚀速率和目标厚度，自动计算出该批产品所需要的工艺时间；按照计算所得的工艺时间在湿法磷酸设备中进行处理；根据结果对计算预设腐蚀速率的参数进行修正。本发明提出的磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，通过采集实时的磷酸状况(腐蚀速率)和硅片前层氧化膜厚度，使用系统来计算出所需工艺时间，从而对磷酸腐蚀后氧化膜厚度进行较精确的控制，降低厚度波动，达到先进制程的要求。

公开(公告)号：CN107369638B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201710567416.5

申请日：2017-07-12

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 冯宇培 ,  仓凌盛 ,  张传民

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台。该刻蚀管控系统包括：依次通讯连接的测量模块、处理模块、转换模块以及采集模块。该刻蚀管控方法包括：获取半导体制品上表面膜的初始厚度信息，以及刻蚀液的浓度信息；根据所述刻蚀液的浓度与刻蚀速率之间的映射关系，获取所述刻蚀液的浓度信息对应的刻蚀速率信息；根据所述刻蚀速率信息、所述初始厚度信息，以及所述表面膜的目标厚度信息，获得刻蚀时间，并按所述刻蚀时间对所述半导体制品进行刻蚀。本发明通过设置转换模块和采集模块，并建立刻蚀速率与刻蚀液浓度之间的函数关系，使得刻蚀速率可直接通过测量刻蚀液浓度的方式获得，从而使获得的刻蚀时间更准确，提高了工艺稳定性。

公开(公告)号：CN107993964A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201711178278.8

申请日：2017-11-23

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 王春伟 ,  仓凌盛 ,  张传民

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种槽式湿法清洗机台，其包括清洗槽、主设备电脑、硅片托架、第一驱动机构；硅片托架包括纵向相对布置的左托架及右托架；左托架及右托架，其中一个的顶部设置有纵向的主动轴，另一个的顶部设置有纵向的从动轴；硅片托架置于所述清洗槽内，待清洗硅片放置到硅片托架上后，下部周缘分别压靠到主动轴及从动轴，并且主动轴及从动轴平行于待清洗硅片的轴线；第一驱动机构用于驱动主动轴旋转；主设备电脑包括硅片角度设置模块；主设备电脑，根据用户通过硅片角度设置模块输入的硅片角度，控制第一驱动机构驱动主动轴旋转相应角度。本发明的槽式湿法清洗机台，能提升清洗效果，降低硅片表面颗粒污染。

公开(公告)号：CN106409726A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610884311.8

申请日：2016-10-10

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 吴军 ,  仓凌盛 ,  张传民

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 本发明公开了一种具有增强腔体排气效果的排气装置的单片清洗机台，在腔体内设有旋转平台，用于放置硅片并带动其旋转进行清洗工艺，所述腔体设有排气装置，排气装置包括分设于腔体内底部和侧部的第一、第二排气口，第二排气口按不低于硅片表面的高度设置；通过在腔体侧部增设排气口，可以改善腔体的排气效果，使得硅片上方的酸气、碱气及水汽等杂质气体可以尽快通过腔体侧部的排气口排出，从而减少杂质气体在硅片上方的滞留时间及掉落到硅片表面形成缺陷的可能性，因此提高了产品品质。

公开(公告)号：CN107993964B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201711178278.8

申请日：2017-11-23

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 王春伟 ,  仓凌盛 ,  张传民

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种槽式湿法清洗机台，其包括清洗槽、主设备电脑、硅片托架、第一驱动机构；硅片托架包括纵向相对布置的左托架及右托架；左托架及右托架，其中一个的顶部设置有纵向的主动轴，另一个的顶部设置有纵向的从动轴；硅片托架置于所述清洗槽内，待清洗硅片放置到硅片托架上后，下部周缘分别压靠到主动轴及从动轴，并且主动轴及从动轴平行于待清洗硅片的轴线；第一驱动机构用于驱动主动轴旋转；主设备电脑包括硅片角度设置模块；主设备电脑，根据用户通过硅片角度设置模块输入的硅片角度，控制第一驱动机构驱动主动轴旋转相应角度。本发明的槽式湿法清洗机台，能提升清洗效果，降低硅片表面颗粒污染。

公开(公告)号：CN109599353A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811458562.5

申请日：2018-11-30

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 吴军 ,  仓凌盛

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种水洗槽出水管，包括第一出水管和包覆于所述第一出水管的外壁的外围的第二出水管，所述第一出水管的管壁上分布有第一出水孔，所述第二出水管的管壁上分布有第二出水孔，所述第一出水孔沿其轴线方向在所述第二出水管上的投影位于所述第二出水管的内腔壁上，使得所述第一出水管和所述第二出水管之间形成一供水流通的流水间隙区，所述水洗槽出水管结构简单，通过降低水流速度以缓和水流对硅片边缘造成的冲击，提高产品良率，节约生产成本。

公开(公告)号：CN108682643A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810576581.1

申请日：2018-06-06

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 俞力洋 ,  仓凌盛 ,  张传民 ,  陈建维

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034

Abstract: 本发明公开一种降低干燥槽引起的颗粒杂质的装置，干燥槽包括干燥腔与水清洗槽，干燥腔用以晶圆进行干燥工艺；水清洗腔设置于干燥腔的下方，与干燥腔设定预定距离，水清洗槽用以晶圆进行水清洗工艺；挡板可拆卸地设置于干燥腔与水清洗槽之间，用以隔离上方干燥腔和下方水清洗槽；搁置槽设置于干燥槽的一侧，且开设开口以连通干燥槽，挡板放置于搁置槽内搁置；搁置槽的上方设置水管与氮气管；搁置槽的下方设置与水管和氮气管对应的排水管与排气管。有益效果在于：在搁置槽的上方增加水管和氮气管，在搁置槽的下方增加排水管和排气管，对挡板进行清洗，有效改善挡板引起的颗粒杂质的问题，提高晶圆的清洗工艺。

公开(公告)号：CN107369638A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710567416.5

申请日：2017-07-12

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 冯宇培 ,  仓凌盛 ,  张传民

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67075 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67242

Abstract: 本发明提供一种刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台。该刻蚀管控系统包括：依次通讯连接的测量模块、处理模块、转换模块以及采集模块。该刻蚀管控方法包括：获取半导体制品上表面膜的初始厚度信息，以及刻蚀液的浓度信息；根据所述刻蚀液的浓度与刻蚀速率之间的映射关系，获取所述刻蚀液的浓度信息对应的刻蚀速率信息；根据所述刻蚀速率信息、所述初始厚度信息，以及所述表面膜的目标厚度信息，获得刻蚀时间，并按所述刻蚀时间对所述半导体制品进行刻蚀。本发明通过设置转换模块和采集模块，并建立刻蚀速率与刻蚀液浓度之间的函数关系，使得刻蚀速率可直接通过测量刻蚀液浓度的方式获得，从而使获得的刻蚀时间更准确，提高了工艺稳定性。