公开(公告)号：CN119361525A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411312731.X

申请日：2024-09-20

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 郑书红 ,  王乐平

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 本发明提供一种改善深沟槽侧壁氧化物厚度均匀性的方法，包括提供衬底，在衬底上淀积硬掩膜层，并涂布一定厚度的光刻胶，然后调整焦距偏正，曝光显影之后光刻胶具有深沟槽刻蚀的图案；对光刻胶进行UVC固胶处理；对硬掩膜层进行干法刻蚀，并调整刻蚀气体的比例和刻蚀压强，以形成具有均匀且直的边界形貌的硬掩膜层；采用Bosch工艺刻蚀深沟槽、侧壁氧化和底部氧化物，以最终获得侧壁氧化物厚度均匀形貌的深沟槽。本发明通过DTI光刻的胶厚和Focus来调整优化DTI侧壁氧化物厚度均匀性，将focus调整到偏正，光刻胶进行UVC固胶处理，使得胶的形貌优化；同时，还通过微调HM干法刻蚀时刻蚀气体的占比和压强，使得刻蚀后形貌较均匀和直，保证了后续刻蚀的形貌不会恶化。

公开(公告)号：CN116741708A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310631394.X

申请日：2023-05-31

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王乐平

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种CMOS的形成方法，包括：提供衬底，分别形成位于衬底上的栅极和侧墙、位于栅极的两侧的源端和漏端以及分别位于源端、漏端和栅极的表面的钴金属层；进行热退火工艺，钴和硅进行第一次反应；去除未反应的钴；通过常压化学气相沉积法的方法形成覆盖侧墙和钴金属层的第一氧化层；通过低压化学气相沉积法的方法在第一氧化层表面形成氮化层；通过常压化学气相沉积法的方法在氮化层的表面形成第二氧化层；在第二氧化层表面形成硼磷硅玻璃层；对硼磷硅玻璃层进行平坦化工艺处理，平坦化工艺包括热退火，以使得钴和硅进行第二次反应，以形成钴和硅的合金。本发明减少了等离子体化学气相沉积流程，减少了等离子损坏的几率。

公开(公告)号：CN109887901B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201910144770.6

申请日：2019-02-27

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王乐平

IPC: H01L23/525

Abstract: 本发明提供一种避免金属熔丝被过刻蚀的方法，提供一金属熔丝，在金属熔丝上淀积层间膜；在层间膜上形成顶部金属层，顶部金属层的上下表面分别具有氮化钛层；对顶部金属层进行刻蚀，形成焊垫和位于金属熔丝上方的保护图形；淀积钝化层后，在焊垫上方和保护图形上方定义刻蚀窗口；按照刻蚀窗口进行刻蚀用以去除焊垫上表面的氮化钛，并利用保护图形作为掩膜在保护下层熔丝的同时在金属熔丝左右打开窗口用以释放该金属熔丝烧断时产生的生成物。本发明实现了既保护金属熔丝又在金属熔丝上开窗，减低成本的同时保护了下层的金属熔丝，但是在金属熔丝的左右边缘又打开了窗口，以便金属熔丝烧断时产生的生成物及时的释放，以免聚集在原地形成短路。

公开(公告)号：CN109887881B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910034194.X

申请日：2019-01-15

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王乐平

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/525

Abstract: 本发明公开了一种金属保险丝顶部的钝化层窗口的形成方法，包括步骤：步骤一、在形成金属保险丝之后形成顶层层间膜；步骤二、形成顶层金属层并进行光刻刻蚀同时形成焊盘以及金属假块；金属假块在金属保险丝的正上方围成第一开口；步骤三、形成钝化层，金属假块会增加第一开口区域的钝化层的厚度；步骤四、进行光刻同时定义焊盘的打开区域以及金属保险丝顶部的钝化层窗口的区域；步骤五、进行刻蚀将焊盘的顶部打开以及同时将金属保险丝顶部的叠加介质层的部分厚度去除从而形成钝化层窗口。本发明能节省一次光刻层次，从而能降低工艺成本，同时还能对金属保险丝顶部的介质层的厚度进行很好的控制。

公开(公告)号：CN109887901A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910144770.6

申请日：2019-02-27

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王乐平

IPC: H01L23/525

Abstract: 本发明提供一种避免金属熔丝被过刻蚀的方法，提供一金属熔丝，在金属熔丝上淀积层间膜；在层间膜上形成顶部金属层，顶部金属层的上下表面分别具有氮化钛层；对顶部金属层进行刻蚀，形成焊垫和位于金属熔丝上方的保护图形；淀积钝化层后，在焊垫上方和保护图形上方定义刻蚀窗口；按照刻蚀窗口进行刻蚀用以去除焊垫上表面的氮化钛，并利用保护图形作为掩膜在保护下层熔丝的同时在金属熔丝左右打开窗口用以释放该金属熔丝烧断时产生的生成物。本发明实现了既保护金属熔丝又在金属熔丝上开窗，减低成本的同时保护了下层的金属熔丝，但是在金属熔丝的左右边缘又打开了窗口，以便金属熔丝烧断时产生的生成物及时的释放，以免聚集在原地形成短路。

公开(公告)号：CN104538362B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201410842288.7

申请日：2014-12-29

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王乐平 ,  徐俊杰

IPC: H01L27/11521 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种OTP器件的制作方法，步骤包括：1)用常规工艺在衬底上形成阱、源、漏、浅沟槽隔离、栅氧、选择栅、浮栅、栅极多晶硅、侧墙；2)淀积等离子增强‑四乙氧基硅烷膜，通过光刻和刻蚀把硅化阻挡层以外区域的等离子增强‑四乙氧基硅烷膜刻掉；3)进行钴化金属工艺，在硅露出区域形成钴化金属；4)再次淀积等离子增强‑四乙氧基硅烷膜，形成浮栅数据存储保护膜；5)淀积层间介质膜，化学机械研磨，光刻和刻蚀形成接触孔。本发明还公开了用上述方法制作的OTP器件的结构。发明通过对浮栅和选择栅都采用自对准多晶硅化物工艺，扩大了硅化阻挡层光刻工艺的窗口，同时降低了成本。

公开(公告)号：CN104538362A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410842288.7

申请日：2014-12-29

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王乐平 ,  徐俊杰

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/11517 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种OTP器件的制作方法，步骤包括：1)用常规工艺在衬底上形成阱、源、漏、浅沟槽隔离、栅氧、选择栅、浮栅、栅极多晶硅、侧墙；2)淀积等离子增强-四乙氧基硅烷膜，通过光刻和刻蚀把硅化阻挡层以外区域的等离子增强-四乙氧基硅烷膜刻掉；3)进行钴化金属工艺，在硅露出区域形成钴化金属；4)再次淀积等离子增强-四乙氧基硅烷膜，形成浮栅数据存储保护膜；5)淀积层间介质膜，化学机械研磨，光刻和刻蚀形成接触孔。本发明还公开了用上述方法制作的OTP器件的结构。发明通过对浮栅和选择栅都采用自对准多晶硅化物工艺，扩大了硅化阻挡层光刻工艺的窗口，同时降低了成本。

公开(公告)号：CN116013771A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310024623.1

申请日：2023-01-09

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 袁宿陵 ,  黄日虹 ,  王乐平 ,  曹俊

IPC: H01L21/223

Abstract: 本发明提供一种改善晶圆表面平整度的推阱方法，提供炉管、设于晶舟上的多个掺杂后的晶圆，晶舟与炉管口间具有缓冲路径，炉管中的温度为第一预设温度，晶舟处于的环境温度为第二预设温度；打开炉管口，使得炉管口至晶舟间的温度为梯度下降；移动晶舟至其进入炉管中，之后关闭炉管口，将晶圆在炉管中进行推阱处理；打开炉管口，使得炉管口至晶舟间的温度为梯度下降；移动晶舟至其离开炉管。本发明在炉管升降晶舟过程中，在炉管口形成一定的热辐射缓冲区域，从而降低晶圆在入出炉管过程中的产生的热应力，改善晶圆周边的平整度，提高光刻对准均匀性。

公开(公告)号：CN115424984A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202210998952.1

申请日：2022-08-19

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王乐平 ,  隋建国 ,  郑书红 ,  尤鸿朴 ,  康轶瑶

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明提供一种提高MTP编程能力的工艺方法，包括：提供具有MTP单元区域和NMOS区域的衬底，在衬底表面形成栅极；采用第一掩膜层覆盖所述NMOS区域，对MTP单元区域进行离子注入，形成MTP注入区和MTP源漏区，去除第一掩膜层；在所述栅极的两侧形成侧墙；采用第二掩膜层覆盖所述MTP单元区域，对NMOS区域进行离子注入，形成LDD斜打注入区和NMOS源漏区。本发明的工艺方法仅采用了两次掩膜，进行两次光刻，使工艺流程相对简化，成本降低，并且在LDD斜打注入时对MTP单元区域进行了掩膜保护，避免LDD斜打注入对MTP单元编程能力的影响，保证MTP单元的编程能力在较高水平。

公开(公告)号：CN115223849A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210713263.1

申请日：2022-06-22

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 隋建国 ,  王乐平

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，提供晶圆，在晶圆上形成阻挡层；在阻挡层上形成图案化的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀去除部分厚度的阻挡层，剩余阻挡层作为保护层；利用光刻胶剥离工艺去除光刻胶层；在阻挡层上形成聚酰亚胺层；刻蚀去除保护层以露出晶圆表面的焊盘；对聚酰亚胺层执行固化处理。本发明通过在对阻挡层进行图案化处理时，对阻挡层不进行全部刻蚀，保留部分厚度的阻挡层作为保护层，在后续形成聚酰亚胺层显影时，避免了金属与显影液直接接触，完全避免了显影液对金属腐蚀发黑现象的产生，尤其对于再工事批次，大大提升了外观的美感度和打线质量。