-
公开(公告)号：CN110042391A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910368012.2
申请日：2019-05-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种基于阳极氧化铝模板、的钒酸铋纳米颗粒包裹的镍阵列的制备方法，通过纳米压印阳极氧化铝，模板方法制备了高度有序的一维镍纳米阵列，并在此基础上利用SILAR在镍纳米阵列上包裹一定厚度的钒酸铋颗粒以形成一维的钒酸铋-镍纳米阵列。本发明合成条件温和，操作简便并且重复率很高，通过进一步的光电催化性能测试表明该一维纳米结构光电极在光催化分解水时具有较高的光响应电流、较高的光吸收效率以及较好的光腐蚀稳定性。因此，通过上述方法制备得到的一维钒酸铋-镍纳米阵列是一种新颖的、效率较高的光电极，其为钒酸铋半导体材料用于光电催化能源转化的研究带来了新的发展启示。
-
公开(公告)号：CN110042391B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910368012.2
申请日：2019-05-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种基于阳极氧化铝模板、的钒酸铋纳米颗粒包裹的镍阵列的制备方法，通过纳米压印阳极氧化铝，模板方法制备了高度有序的一维镍纳米阵列，并在此基础上利用SILAR在镍纳米阵列上包裹一定厚度的钒酸铋颗粒以形成一维的钒酸铋‑镍纳米阵列。本发明合成条件温和，操作简便并且重复率很高，通过进一步的光电催化性能测试表明该一维纳米结构光电极在光催化分解水时具有较高的光响应电流、较高的光吸收效率以及较好的光腐蚀稳定性。因此，通过上述方法制备得到的一维钒酸铋‑镍纳米阵列是一种新颖的、效率较高的光电极，其为钒酸铋半导体材料用于光电催化能源转化的研究带来了新的发展启示。
-
公开(公告)号：CN111441066A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010120787.0
申请日：2020-02-26
Applicant: 上海大学
IPC: C25B11/06 , C25B1/04 , C25D11/04 , C23C14/16 , C25D3/12 , C23C18/00 , C23C28/00 , B22F9/24 , B22F1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列光电极制备方法。具体实施方法是通过氧化铝模板法制备大范围且高度有序的镍柱作为基底，并利用超声辅助原位沉积法在镍柱表面包括一些Ag纳米颗粒，再用离子连续吸附法在Ag颗粒外部包裹BiVO4纳米颗粒薄膜，最后用化学浴沉积法在最外层包裹一层CdS纳米薄膜，最终制成Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列复合电极。本发明中制得的复合光电极和单一的BiVO4光电极相比具有更高的吸光效率，同时降低了光生载流子的复合效率，增加了其迁移效率，从而对其光电效率有显著提高的效果。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.019 seconds)
