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公开(公告)号：CN106645077A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510709422.0
申请日：2015-10-28
Applicant: 上海大学
IPC: G01N21/65
CPC classification number: G01N21/658
Abstract: 本发明公开了一种基于新型高低温阶梯扩孔法的“热点”尺寸小于5nm的SERS活性基底的制备方法。首先在高温30℃条件下进行第一次扩孔，制备出孔径为83～87nm的UTAM，随后进行在低温13℃～20℃条件下进行第二次扩孔，制备出孔径为95～97nm的UTAM，随后进行金属真空热阻沉积，并去除UTAM，最终制得“热点”尺寸小于5nm的高增强SERS活性基底。本发明提供的“热点”尺寸小于5nm的金属纳米点阵SERS基底形貌均一，结构可控，拉曼信号增强显著，增强因子可达1010，且增强信号均一稳定。本发明方法，基于UTAM表面纳米结构制备技术的优势，通过高低温阶梯扩孔，结合真空热阻沉积，可方便地实现极小热点（
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公开(公告)号：CN101520430A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910046525.8
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及一种基于非共价修饰单壁碳纳米管的场效应晶体管生物检测器件的制造方法，属于纳电子器件制造和生物分析检测技术领域。具体步骤如下：将单壁碳纳米管(束)搭建在以光刻技术在表面含有绝缘氧化层的硅基底上制作出的叉指源、漏电极之间，构造基于碳纳米管的场效应晶体管。对碳纳米管表面非共价糖基化生物修饰，得到用于糖－蛋白特异性识别作用检测的碳纳米管场效应管器件。本发明中可选择修饰不同糖分子分别检测不同糖配体和受体间特异性结合行为，从而构成通用、灵敏、高效的碳纳米管场效应管生物检测器件。
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公开(公告)号：CN103213938B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310130493.6
申请日：2013-04-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底以表面带有有序凹坑阵列结构的铝基片为模板，沉积金薄膜，随后去除铝基片，翻转下表面朝上转移固定到玻璃基底表面得到大面积(＞1cm2)、高度有序的金纳米帽阵列结构。本发明提供的金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底形貌均一，结构可控，对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果，且增强信号均一稳定（相对标准偏差小于2%）。本发明方法，可以根据模板的结构参数调节金纳米帽的结构参数和形貌，实现不同金属纳米阵列基底对拉曼表面增强效果的不同影响。具有操作简单，成本低，易于工业生产的优点。
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公开(公告)号：CN105047818A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510314343.X
申请日：2015-06-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0014
Abstract: 本发明公开了一种利用胶乳液制备有机功能材料图案的方法和应用，其包括对基底进行修饰处理，在基底上引入有机材料预图案，将基底浸入含有有机材料的乳液中，通过亲疏水原理，使其形成有机材料图案。本发明图案化方法发生在胶乳液里，避免了光刻技术等损害材料功能的不利环境，因此可以有效地保护材料的功能性，不需要真空环境，而且过程无需加热，解决了有机材料受热分解等问题，实现了一种具有制备高分辨率、大面积、低成本的有机功能材料图案制备工艺，本发明工艺可兼容光刻技术，具有产业化应用前景。本发明方法提供了有机半导体图案化的另一种途径。
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公开(公告)号：CN103213938A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310130493.6
申请日：2013-04-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底以表面带有有序凹坑阵列结构的铝基片为模板，沉积金薄膜，随后去除铝基片，翻转下表面朝上转移固定到玻璃基底表面得到大面积(>1cm2)、高度有序的金纳米帽阵列结构。本发明提供的金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底形貌均一，结构可控，对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果，且增强信号均一稳定（相对标准偏差小于2%）。本发明方法，可以根据模板的结构参数调节金纳米帽的结构参数和形貌，实现不同金属纳米阵列基底对拉曼表面增强效果的不同影响。具有操作简单，成本低，易于工业生产的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102590179A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210084676.4
申请日：2012-03-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米点阵表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底以硅单晶为衬底，在硅表面沉积银纳米颗粒阵列结构；所述的银纳米颗粒的粒径为30～90nm，颗粒中心距为99～111nm。本发明提供的银纳米点阵表面增强拉曼活性基底形貌均一，结构可控，对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果，且增强信号均一稳定。本发明方法，可以根据超薄氧化铝模板的结构参数调节银纳米点阵的结构参数和形貌，实现不同金属纳米点阵基底对拉曼表面增强效果的不同影响。具有操作简单，成本低，易于工业生产的优点。
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公开(公告)号：CN106011969A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610406577.1
申请日：2016-06-12
Applicant: 上海大学
IPC: C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/24 , C23C14/18 , C23C14/24 , C25D3/46 , C25D3/12 , C25D5/12 , C25D5/18 , C23C28/00 , B82Y40/00
CPC classification number: C25D11/045 , B82Y40/00 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C28/322 , C23C28/345 , C25D3/12 , C25D3/46 , C25D5/12 , C25D5/18 , C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/24
Abstract: 本发明公开了一种镍基上金纳米颗粒阵列及其制备方法，该阵列以镍基底材料上排列有金纳米颗粒阵列；所述金纳米颗粒阵列是不连续型的，其金纳米颗粒的粒径为30~72nm，颗粒的中心距为98~102 nm；或者所述金纳米颗粒阵列是连续型的，其金纳米颗粒的粒径为30~100 nm，颗粒的中心距为98~102nm。本发明提供的方法比较灵活，制备得到的镍基上金纳米颗粒阵列中的金颗粒既可以是不连续的也可以使连续的。并且所用的AAO模板可以重复使用。同时兼具操作简单，成本低，能获得大面积高度有序的金纳米颗粒阵列的优点，有望应用于太阳能电池、光电催化、传感器、信息存储等。
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公开(公告)号：CN105761943A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610230558.8
申请日：2016-04-14
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/86 , H01M4/0452 , H01M4/387 , H01M4/8621 , H01M4/8853
Abstract: 本发明公开了一种镍锡合金纳米孔阵列及其制备方法。本发明是基于大孔阳极氧化铝模板的结构特性制备得到大面积有序、可控的镍锡合金纳米孔阵列。所述的纳米孔的直径为200~400nm，长度1~6μm。本发明制备的镍锡合金纳米孔阵列具有大的比表面积，垂直的孔道结构、高的导电性以及结构稳定性。本发明方法，可以根据模板的结构参数调节镍锡合金纳米孔阵列的结构参数，同时还可以实现不同金属纳米孔阵列的制备，具有制备工艺简单，成本低廉，重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN113526549A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010299086.8
申请日：2020-04-16
Applicant: 上海大学
IPC: C01G29/00 , B82Y30/00 , H01M4/58 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种花型硫化铋钾离子电池电极材料及钾离子电池的制备方法，其制备方法是将硝酸铋、硫脲、聚乙烯吡咯烷酮溶于乙二醇后进行溶剂热反应，得到花状的硫化铋材料；该制备方法简单、高效，所制备的纳米球状硫化锑/碳复合材料应用于钾离子电池负极，表现出卓越的容量与循环性能。
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公开(公告)号：CN111441066A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010120787.0
申请日：2020-02-26
Applicant: 上海大学
IPC: C25B11/06 , C25B1/04 , C25D11/04 , C23C14/16 , C25D3/12 , C23C18/00 , C23C28/00 , B22F9/24 , B22F1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝模板的Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列光电极制备方法。具体实施方法是通过氧化铝模板法制备大范围且高度有序的镍柱作为基底，并利用超声辅助原位沉积法在镍柱表面包括一些Ag纳米颗粒，再用离子连续吸附法在Ag颗粒外部包裹BiVO4纳米颗粒薄膜，最后用化学浴沉积法在最外层包裹一层CdS纳米薄膜，最终制成Ni/Ag/BiVO4/CdS纳米阵列复合电极。本发明中制得的复合光电极和单一的BiVO4光电极相比具有更高的吸光效率，同时降低了光生载流子的复合效率，增加了其迁移效率，从而对其光电效率有显著提高的效果。
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