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公开(公告)号：CN103346231A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310241092.8
申请日：2013-06-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种采用铜硫化物中间薄层来提高氧化锌基LED透明电极与p型氮化镓之间的欧姆接触，与单纯的采用金属作为中间插入层对比，铜硫化物在光透过率方面有明显提高，同时也能够和p型氮化镓形成较好的欧姆接触。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、铜硫化物薄膜、氧化锌基透明电流扩展层、p型金属电极和n型金属电极。利用铜硫化物/氧化锌复合透明电极改善了p型氮化镓与氧化锌透明电极层之间的欧姆接触，提高了LED芯片的光提取效率和LED芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN103346231B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310241092.8
申请日：2013-06-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本专利涉及一种采用铜硫化物中间薄层来提高氧化锌基LED透明电极与p型氮化镓之间的欧姆接触，与单纯的采用金属作为中间插入层对比，铜硫化物在光透过率方面有明显提高，同时也能够和p型氮化镓形成较好的欧姆接触。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、铜硫化物薄膜、氧化锌基透明电流扩展层、p型金属电极和n型金属电极。利用铜硫化物/氧化锌复合透明电极改善了p型氮化镓与氧化锌透明电极层之间的欧姆接触，提高了LED芯片的光提取效率和LED芯片的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972338A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410139377.5
申请日：2014-04-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌透明电极发光二极管，包括蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌保护层、氧化锌基透明电流扩展层、p型金属电极和n型金属电极；所述缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中从蓝宝石衬底上依次生长；所述的氧化锌保护层沉积在p型氮化镓的表面；所述氧化锌基透明电流扩展层沉积在氧化锌保护层上；所述n型金属电极连接n型氮化镓，所述p型金属电极连接氧化锌基透明电流扩展层。本发明先采用低功率制备氧化锌保护层再采用高功率制备氧化锌电流扩展层能够和p型氮化镓形成较好的欧姆接触，降低了LED芯片的工作电压和提高了LED芯片的可靠性，同时在生产效率上也获得提升。
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公开(公告)号：CN103996777B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410187487.9
申请日：2014-05-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、金属插入层和石墨烯电极层结合形成，通过金属插入层作为CVD法制备石墨烯电极的催化剂，实现石墨烯的自生长，使金属插入层和石墨烯电极层的石墨烯材料形成石墨烯复合电极。本发明方法采用石墨烯薄膜与金属插入层形成复合电极，并置于依次由衬底、导体层、有源层和半导体层形成体系之上，组成完整的器件结构。本发明采用金属插入层作为催化剂，实现CVD法石墨烯电极的自生长，借助于金属插入层与半导体及石墨烯间的良好接触特性提高器件的界面特性，并通过金属插入层改善石墨烯与半导体间的电荷注入，优化器件的性能。
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公开(公告)号：CN101777625A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010023086.1
申请日：2010-01-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公布了一种采用P-I-N结构的双极型有机薄膜晶体管及其制作方法。本晶体管依次由基板、栅极、绝缘层、第一层有机半导体层、中间隔离层、第二层有机半导体层、源漏电极依次叠层构成顶接触结构，或者由基板、栅极、绝缘层、第一次层有机半导体层、中间隔离层、源漏电极和第二层有机半导体层依次叠层构成底接触结构。各结构层采用真空蒸发、溅射或旋涂方法制备。本发明的结构中，在P型半导体层和N型半导体层中间加入了中间隔离层，可以有效的避免异质结的作用，避免了界面偶极子作用产生的耗尽-增强模式的电荷传输模式，从而可以实现了单一的P型以及N型的两种增强型的传输模式。采用这种P-I-N结构的有机薄膜晶体管，可以广泛应用到有机互补反相器及其互补电路上。
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公开(公告)号：CN103996777A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410187487.9
申请日：2014-05-06
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、金属插入层和石墨烯电极层结合形成，通过金属插入层作为CVD法制备石墨烯电极的催化剂，实现石墨烯的自生长，使金属插入层和石墨烯电极层的石墨烯材料形成石墨烯复合电极。本发明方法采用石墨烯薄膜与金属插入层形成复合电极，并置于依次由衬底、导体层、有源层和半导体层形成体系之上，组成完整的器件结构。本发明采用金属插入层作为催化剂，实现CVD法石墨烯电极的自生长，借助于金属插入层与半导体及石墨烯间的良好接触特性提高器件的界面特性，并通过金属插入层改善石墨烯与半导体间的电荷注入，优化器件的性能。
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公开(公告)号：CN103346230A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310240880.5
申请日：2013-06-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种采用铜氧化物中间薄层来提高氧化锌基LED透明电极与p型氮化镓之间的欧姆接触，与单纯的采用金属作为中间插入层对比，铜氧化物在光透过率方面有明显提高，同时也能够和p型氮化镓形成较好的欧姆接触。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、铜氧化物薄膜、氧化锌基透明电流扩展层、p型金属电极和n型金属电极。利用铜氧化物/氧化锌复合透明电极改善了p型氮化镓与氧化锌透明电极层之间的欧姆接触，提高了LED芯片的光提取效率和LED芯片的可靠性。
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