公开(公告)号：CN102904220B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210441310.8

申请日：2012-11-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  张允武 ,  张翠云 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02H7/20 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明公开了高压半桥驱动芯片的欠压保护方法及高压半桥电路，方法为：当低端电源电压VCC发生欠压时，欠压保护电路封锁高端和低端信号通道，若低侧电源电压VCC高于低侧欠压阈值VCCU，且高侧电源电压VBS低于高侧欠压阈值VBSU，则强制高压半桥驱动芯片的高侧通道输出低电平，低侧通道输出高电平，关闭上功率管，开通下功率管，使低侧电压源VCC通过外部二极管给自举电容CB充电，直到高侧电压源VBS大于高侧欠压阈值VBSU，高低侧电源电压高于高低侧欠压阈值，高压半桥驱动芯片正常工作。电路包括：高压半桥驱动电路、上功率管M1及下功率管M2、二极管DB及自举电容CB。

公开(公告)号：CN102904220A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210441310.8

申请日：2012-11-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  张允武 ,  张翠云 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02H7/20 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明公开了高压半桥驱动芯片的欠压保护方法及高压半桥电路，方法为：当低端电源电压VCC发生欠压时，欠压保护电路封锁高端和低端信号通道，若低侧电源电压VCC高于低侧欠压阈值VCCU，且高侧电源电压VBS低于高侧欠压阈值VBSU，则强制高压半桥驱动芯片的高侧通道输出低电平，低侧通道输出高电平，关闭上功率管，开通下功率管，使低侧电压源VCC通过外部二极管给自举电容CB充电，直到高侧电压源VBS大于高侧欠压阈值VBSU，高低侧电源电压高于高低侧欠压阈值，高压半桥驱动芯片正常工作。电路包括：高压半桥驱动电路、上功率管M1及下功率管M2、二极管DB及自举电容CB。